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等離子清洗機設備蝕刻后硅鍺溝槽界面對西格瑪型溝槽形狀及硅鍺外延生長的影響： 眾所周知，等離子清洗機設備硅的干法蝕刻過程中會產生大量的高分子副產物。圖形密集區(qū)反應總量大，因此副產物容易聚集。在圖形硅片實驗中，圖形密集區(qū)厚重的蝕刻副產物導致深度相比圖形稀疏區(qū)淺。這樣的深度差異在TMAH處埋工藝后，會變得更加明顯，甚至導致無法形成正常形狀的西格瑪型硅溝槽。
針對IC封裝的引線結構放電、芯片鍵合、塑封的預清洗工藝，大大提高了粘合性能和鍵合強度，避免了長時間接觸引線結構的人為因素造成的二次污染時間是避免增加。長時間批量清潔型腔會損壞刀片。對于體積大、搬運不靈活的汽車零部件，減少搬運環(huán)節(jié)，降低人員工作強度。在線等離子清洗機的主要結構包括材料擠壓結構上下料、材料設置和再生通道上下料、正向系統(tǒng)上下料、傳動系統(tǒng)上下料、材料去除。包括組織上下料、反應室。
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