不同有源區(qū)寬度下，漆膜附著力試驗(yàn)機(jī)qfz光板多晶硅及有表面形貌的多晶硅在曝光及蝕刻前后特征尺寸的差異，可見有源區(qū)寬度不同，等離子表面處理機(jī)蝕刻過程的蝕刻偏差(Etch Bias)也會存在差異。。

正的臺階高度下，測漆膜附著力試驗(yàn)板尺寸在經(jīng)過等離子表面處理機(jī)多晶硅柵蝕刻的主蝕刻步驟后，位于淺溝槽隔離區(qū)的多晶硅柵的側(cè)壁明顯要比有源區(qū)傾斜，特征尺寸也明顯比有源區(qū)大。 即使等離子表面處理機(jī)主蝕刻步驟采用了產(chǎn)生較少聚合副產(chǎn)物的氣體，仍然無法在淺溝槽隔離區(qū)形成垂直的柵極側(cè)壁，并且這種側(cè)壁的差異會保留到全部蝕刻完成?？拷鼫\溝槽隔離的多晶硅柵的側(cè)壁角度只有86°，而位于有源區(qū)中央的多晶硅柵側(cè)壁角度達(dá)到89°。

施加到電極上的負(fù)偏壓與射頻電壓一起形成復(fù)合電壓，測漆膜附著力試驗(yàn)板尺寸如下圖所示。圖 4. 電極上的直流和交流波形 2.1 對 VDC 元件的影響 2.1.1 混響腔尺寸和蝕刻模式 VDC 是電極和等離子體之間的電壓降。 A1為電極1的面積。 ，A2為電極2的面積，N為指數(shù)因子，通常為1，如果電極1通電，電極2接地，這個(gè)方程是任意的，其VDC組成如下圖所示。可以應(yīng)用到電極結(jié)構(gòu)。

處于等離子體狀態(tài)的物質(zhì)有以下幾種：高速運(yùn)動的電子；處于活化狀態(tài)的中性原子、分子和原子團(tuán)（自由基）；電離原子和分子；未反應(yīng)的分子、原子等，測漆膜附著力試驗(yàn)板尺寸但物質(zhì)作為一個(gè)整體保持電中性。在真空室內(nèi)通過射頻電源在一定壓力下產(chǎn)生高能無序等離子體，用等體子體轟擊被清洗產(chǎn)品表面，達(dá)到清洗的目的。

測漆膜附著力試驗(yàn)板尺寸

等離子體的活性成分包括離子、電子、活性官能團(tuán)、激發(fā)核（亞穩(wěn)態(tài)）、光子等。等離子清潔劑利用這些活性成分的特性來處理樣品表面，從而達(dá)到清潔目的。等離子清洗機(jī)中產(chǎn)生等離子的裝置是將兩個(gè)電極放入密閉容器中，產(chǎn)生電場，然后通過真空泵達(dá)到一定的真空度。蒸氣越薄，分子與分子或離子之間的自由運(yùn)動距離越長。它們在電場的作用下碰撞形成等離子體。它們具有高反應(yīng)性和高能，可以破壞幾乎所有的化學(xué)鍵并在暴露的表層中引起化學(xué)反應(yīng)。

等離子清洗機(jī)可用于清洗、刻蝕、活化和表面準(zhǔn)備等,可選擇40KHz、13.56MHz和2.45GHz三種射頻發(fā)生器,以適應(yīng)不同的清洗效率和清洗效果需要。等離子體和固體、液體或氣體一樣,是物質(zhì)的一種狀態(tài),也叫做物質(zhì)的第四態(tài)。對氣體施加足夠的能量使之離化便成為等離子狀態(tài)。等離子體的"活性"組分包括:離子、電子、活性基團(tuán)、激發(fā)態(tài)的核素(亞穩(wěn)態(tài))、光子等。

圖1-5（a）顯示了單間隙單介質(zhì)阻擋放電反應(yīng)器的結(jié)構(gòu)。其特點(diǎn)是電介質(zhì)與高壓電極相連，放電區(qū)位于接地電極和電介質(zhì)之間。它結(jié)構(gòu)簡單，常用于產(chǎn)生臭氧。圖1-5（b）顯示了雙間隙單介質(zhì)勢壘放電反應(yīng)器的結(jié)構(gòu)。其特點(diǎn)是等離子清洗器與介質(zhì)的上下電極各自形成兩個(gè)不同的反應(yīng)區(qū)，一般用于產(chǎn)生兩種不同成分的等離子體。圖1-5(c)顯示了單間隙雙介質(zhì)勢壘放電反應(yīng)器的結(jié)構(gòu)。其特點(diǎn)是兩層電介質(zhì)之間發(fā)生反應(yīng)。

離子轟擊破壞清潔后的表面，削弱化學(xué)鍵，形成原子態(tài)，容易吸收反射體。正離子碰撞加熱被清洗的物體，容易反射。。常用的等離子體激勵(lì)頻率有三種：激勵(lì)頻率為40kHz的超聲等離子體、激勵(lì)頻率為13.56MHz的射頻等離子體和激勵(lì)頻率為2.45GHz的微波等離子體。

漆膜附著力試驗(yàn)機(jī)qfz