另外，附著力試驗的標準由于3D 3D鰭片的存在，上下多晶硅柵的刻蝕環(huán)境不同，所以為了形成理想的多晶硅柵輪廓，通常采用等離子表面處理設(shè)備的刻蝕工藝。用過的。軟著陸步驟分為幾個步驟，以達到優(yōu)化多晶硅外形的目標。由于源極和漏極外延層直接形成在鰭片上，這意味著在 FinFET 多晶硅蝕刻中鰭片的損失不如平面襯底硅的損失重要。

電漿(等離子)與材料表面可產(chǎn)生的反應(yīng)主要有兩種，附著力試驗的標準一種是靠自由基來做化學(xué)反應(yīng)，另一種則是靠等離子作物理反應(yīng)，以下將作更詳細的說明。（1）化學(xué)反應(yīng)（Chemical reaction）在化學(xué)反應(yīng)里常用的氣體有氫氣（H2）、氧氣（O2）、甲烷（CF4）等，這些氣體在電漿內(nèi)反應(yīng)成高活性的自由基，這些自由基會進一步與材料表面作反應(yīng)。

現(xiàn)在有一種低溫等離子體處理工藝。低溫等離子體富集的離子、電子、激發(fā)的原子、分子和自由基等都是活性粒子，環(huán)氧樹脂膩子的附著力試驗容易與材料表面發(fā)生反應(yīng)。因此，它被廣泛應(yīng)用于表面改性、薄膜沉積、刻蝕、器件清洗等領(lǐng)域。常壓低溫等離子體射流是近年來興起的等離子體處理工藝，具有擊穿電壓低、離子和亞穩(wěn)態(tài)分子濃度高、電子溫度高、中性分子溫度低等優(yōu)點，產(chǎn)生的等離子體均勻、可控、不需要真空泵送、可持續(xù)清潔表面。

它們的作用是消除物體表面的殘留物和空氣污染物，附著力試驗的標準達到刻蝕，使產(chǎn)品表面粗糙化，產(chǎn)生許多超細粗糙化的產(chǎn)品表面，擴大材料的表面能。提高固體表面的潤濕性。等離子體中粒子的動能為0～20eV，而大多數(shù)聚合物的鍵能為0～10eV。因此，等離子體作用于固體表面后，固體表面原有的離子鍵可以被打破，等離子體中的氧自由基與該鍵形成化學(xué)交聯(lián)結(jié)構(gòu)，極大地激活了表面特異性。

附著力試驗的標準

但從對環(huán)境的影響、原材料的消耗以及未來的發(fā)展來看，干洗明顯優(yōu)于濕法清洗。在干洗中，等離子清洗發(fā)展迅速且優(yōu)勢明顯，等離子清洗已逐漸廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造、微電子封裝、精密機械等行業(yè)。2、等離子體清洗機的機理等離子體是一種部分電離的氣體，是除固體、液體和氣體外的第四種狀態(tài)。等離子體由電子、離子、自由基、光子和其他中性粒子組成。由于等離子體中電子、離子和自由基等活性離子的存在，它很容易與固體表面發(fā)生反應(yīng)。

環(huán)氧樹脂膩子的附著力試驗