結(jié)果表明，刻蝕銅板離子方程式由于兩電極之間的輝光信號(hào)沒(méi)有時(shí)間差，射流區(qū)等離子體不是由電極之間的放電形成后再通過(guò)空氣傳播的。也就是說(shuō)，高壓電極的兩端獨(dú)立形成氣體擊穿，分別向兩側(cè)傳導(dǎo)。。例如，氧等離子體的形成過(guò)程可以用下面的方程來(lái)表示。第一個(gè)方程表示氧分子獲得外界能量后，釋放自由電子，成為氧陽(yáng)離子的過(guò)程。第二個(gè)方程表示氧分子獲得外界能量后分解成兩個(gè)氧原子自由基的過(guò)程。第三個(gè)方程表示氧分子躍遷到具有高能量自由電子的激發(fā)態(tài)。

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表3-3不同催化劑在等離子體201催化劑作用下的催化活性轉(zhuǎn)化率/ %選擇性/ %收率/ %比/mol,C2H6CO2C2H4C2H2C2H4和C2H2C2H4/C2H2H2/COWithout催化劑33.822.712.425.412.70.482.3410la2o3 /Y-Al2Oy37． 518.520.832.019.80.652.7410CeO2 / Y-Al2O342.420.620.431.321.80.652.64Pd / Y - 0.1 Al2O330.024.646.76.315.97.401.46Note:反應(yīng)條件如下:催化劑用量0.7毫升,放電功率20 w(峰值電壓28 kv:頻率44 hz),流量25毫升/分鐘,飼料C2H6 (50 vol. %)和二氧化碳(50 vol. %)。

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刻蝕銅板離子方程式

在亞微米時(shí)代，四乙基硅酸鹽氧化物(TEOS氧化物)直接沉積在柵上，蝕刻停止在源漏硅上，形成側(cè)壁。這種方法的問(wèn)題在于，它會(huì)造成硅的損傷。所以當(dāng)裝置減少到一定程度時(shí)，泄漏就會(huì)不可控。m時(shí)代，由于TEOS氧化硅側(cè)壁不能滿足工藝需要，后來(lái)又開(kāi)發(fā)了氮化硅側(cè)壁。Si3n4側(cè)壁也稱為Si3n4側(cè)壁或Si3n4 / Si3n4 (Oxide SiN, ON)側(cè)壁，因?yàn)槲g刻時(shí)可以停在氧化硅層下面，所以不影響硅。

氯化鐵刻蝕銅板反應(yīng)方程式