由此可見, 低溫等離子體的能量高于這些化學(xué)鍵的能量, 足以使PTFE表面的分子鍵斷裂, 發(fā)生刻蝕、交聯(lián)、接枝等一系列物理化學(xué)反應(yīng)。 在低溫等離子體表面處理過程中, 利用各種非聚合性氣體 (Ar、He、O2、N2、H2O、空氣等) 放電, 產(chǎn)生相應(yīng)等離子體對PTFE表面進(jìn)行活化和功能化是目前的研究熱點(diǎn)。 按是否參加材料表面的化學(xué)反應(yīng), 等離子氣體可分為反應(yīng)性氣體和非反應(yīng)性氣體。

在SiO2表面沉積一層疏水的氮化硅薄膜，o2 等離子刻蝕以防止水分子侵蝕電荷層。然而，上述方法都沒有改變二氧化硅薄膜本身的電荷存儲特性，因此似乎對SiO2薄膜駐極體集成聲學(xué)傳感器的發(fā)展貢獻(xiàn)不大。到目前為止，研究人員和工程師已經(jīng)做了很多工作，真正的駐極體集成聲學(xué)傳感器。 Plasma Cleaner 等離子源離子技術(shù)開發(fā)于 20 世紀(jì)末，是一種將樣品浸入等離子中的離子注入技術(shù)。

等離子體 等離子體作用下CO2轉(zhuǎn)化的主要反應(yīng)分解反應(yīng)機(jī)理：二氧化碳是主要來自化石燃料燃燒的主要溫室氣體。隨著現(xiàn)代工業(yè)的快速發(fā)展，o2 等離子刻蝕替代通過燃燒排放到大氣中的二氧化碳量正以每年 4% 的速度增長。有研究表明，工業(yè)化前大氣中CO2濃度翻倍時，全球地表平均溫度升高5～6℃，對人類生產(chǎn)生活造成嚴(yán)重影響，但CO2排放量有限。它在一定程度上很重要，但對現(xiàn)代工業(yè)化和世界經(jīng)濟(jì)的發(fā)展也有一定的影響。

它化學(xué)鍵合形成原子狀態(tài)，o2 等離子刻蝕容易成為吸收劑，通過離子碰撞加熱待凈化的物體。等離子處理設(shè)備的傳統(tǒng)物理凈化工藝是氬等離子清洗。氬氣本身是一種惰性氣體，等離子氬不與表面相互作用，但它通過離子沖擊清潔表面。典型的等離子化學(xué)清洗技術(shù)是氧等離子清洗。等離子體中捕獲的氧自由基具有高活性，容易與碳?xì)浠衔锵嗷プ饔卯a(chǎn)生CO2、CO、H2O等揮發(fā)物，從而有效去除表面污染物。

o2 等離子刻蝕替代

采用預(yù)電離低溫等離子體通過預(yù)電離方式降(低)O2放電的擊穿與維持電壓，從而提高等離子體射流中O2流量,氧離子濃度可達(dá)到9.8 X107/cm3[6] ,以此高化學(xué)活性的低溫等離子體射流對表面沾污潤滑油和硬脂酸的玻璃面板進(jìn)行清洗,探討了清洗效(果)。 潤滑油和硬脂酸是手機(jī)玻璃表面板很常見的沾污物質(zhì),污染后玻璃表面對水的接觸角增加，影響到離子交換。傳統(tǒng)的清洗方法工藝復(fù)雜且有污染。

(1)處理能力為200W。 PBO 纖維分別處理 5、10、15、20 和 25 分鐘。 (2)以200的功率，在300W和400W的條件下，濕法纏繞制備PBO纖維/PPESK?？梢灾苽銹B0纖維。聚合物預(yù)浸料通過高溫成型成為聚合物單向板。使用 XPS、AFM、DCAA 等，我們表征了 PBO 纖維在用小型等離子清潔劑和 O2 處理前后表面元素組成和極性基團(tuán)的變化。

同時氧化層對鍵合的質(zhì)量也是有害的，也需要進(jìn)行等離子清潔。特 點(diǎn)：· 操作簡便、成本低廉· 高效真空電極· 氣體流量通過流量計和針閥實(shí)現(xiàn)精確控制· 功率可在200W以內(nèi)調(diào)節(jié)控制（完全能夠能夠滿足清潔需要，200W以上功率用于刻蝕）· 自動阻抗匹配· 自由設(shè)置參數(shù)：處理時間、功率、氣體、壓力· 安全保護(hù)功能：真空觸發(fā)、艙門鎖。

等離子蝕刻機(jī)徹底解決原材料表面的有機(jī)化學(xué)或有機(jī)污染物，提高潤濕性，顯著改變此類表面的附著力和焊接過程的抗壓強(qiáng)度，殘留物可以被去除。電離工藝操作簡單，可安全可靠地反復(fù)更換。有效的表面處理對于提高產(chǎn)品可靠性和工藝效率是必不可少的，而等離子技術(shù)也是等離子刻蝕機(jī)理想的表面改性技術(shù)。等離子處理后，原料表層獲得新的性能，讓原料滲透，賦予特殊材料獨(dú)特的表面處理性能。

o2 等離子刻蝕替代

特別是在在半導(dǎo)體封裝工藝中,完成打線工藝后為避免導(dǎo)線氧化,都是選用氬等離子體或氬氫等離子體進(jìn)行外表清洗。2外表粗化 等離子清洗機(jī)的外表粗化又稱外表刻蝕,其意圖是提高材料外表的粗糙度,以添加粘接、印刷、焊接等工藝結(jié)合力,經(jīng)氬等離子清洗機(jī)處理后的外表張力會顯著提高。

在IC半導(dǎo)體制造領(lǐng)域中，o2 等離子刻蝕plasma等離子體清洗機(jī)已是一種不可替代的成熟設(shè)備，不論在芯片源離子的注入，還是晶元的鍍膜，亦或是低溫等離子體表面處理設(shè)備所能達(dá)到的：在晶元表面去除氧化膜、有(機(jī))物、去掩膜等超凈化處理及表面活(化)提高晶元表面浸潤性。