國(guó)內(nèi)從事GaN外延片的廠商主要有三安光電、賽微電子、海陸重工、晶展半導(dǎo)體、江蘇能華和英諾賽科。從事氮化鎵器件的廠商主要有三安光電、聞泰科技、賽維電子、聚燦光電和贛照光電。 GAN技術(shù)的難點(diǎn)在于晶圓制備工藝，外延片去膠設(shè)備歐美日在這方面優(yōu)勢(shì)明顯。由于熔化 GAN 晶體所需的氣體壓力非常高，因此使用外延技術(shù)來(lái)生長(zhǎng) GAN 晶體并制備晶片。其中，日本住友電工是全球最大的 GAN 晶圓制造商，占據(jù) 90% 以上的市場(chǎng)份額。

這對(duì)促進(jìn)有軌電車(chē)行業(yè)以及其他行業(yè)的節(jié)能減排起到了重大的積極作用。 SIC功率器件在新能源汽車(chē)及其配套領(lǐng)域具有巨大潛力。 (2)氮化鎵氮化鎵是一種在微波射頻領(lǐng)域不斷受到追捧的新材料。由于氮化鎵襯底材料生長(zhǎng)困難，外延片去膠主要通過(guò)在國(guó)外襯底上外延生長(zhǎng)獲得。藍(lán)寶石是GAN早期使用的基板材料，也是一種比較成熟的材料。大多數(shù)用于光電應(yīng)用的 GAN 設(shè)備都是通過(guò)該板制造的。

兩種新襯底分別是 SI 和 SIC，外延片去膠機(jī)器GAN-ON-SI（硅上氮化鎵）和 GAN-ON-SIC（碳化硅上氮化鎵）。由于碳化硅和氮化鎵的低晶格適應(yīng)性，氮化鎵材料自然可以在碳化硅襯底上生長(zhǎng)出高質(zhì)量的外延，當(dāng)然制備成本也很高。 GAN材料在LED和RF領(lǐng)域都具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。氮化鎵具有高離子化、優(yōu)異的斷裂能力、更高的電子密度和倍率、更高的工作溫度、更低的傳導(dǎo)損耗和更高的電流密度等優(yōu)點(diǎn)。

薄膜金剛石在超硬維護(hù)涂層、光學(xué)窗口、散熱片數(shù)據(jù)、微電子等方面如此重要，外延片去膠因此如果人類(lèi)學(xué)習(xí)金剛石薄膜制備技術(shù)，尤其是單晶金剛石薄膜制備技術(shù)，歷史從硅材料時(shí)代迅速過(guò)渡到鉆石時(shí)代。然而，特別是在異質(zhì)外延單晶金剛石薄膜的情況下，金剛石薄膜的等離子體化學(xué)氣相沉積機(jī)理仍不清楚。問(wèn)題是冷等離子體處于熱不平衡狀態(tài)，所使用的反應(yīng)是氣體也是多原子分子，反應(yīng)體系復(fù)雜，缺乏基礎(chǔ)數(shù)據(jù)支持。

外延片去膠機(jī)器

直徑大于0.5μM的顆粒被完全去除，小于這個(gè)尺寸的顆?；救コ嗽瓉?lái)數(shù)量的50%左右。等離子體發(fā)射光譜由線性光譜線疊加在連續(xù)光譜上組成，光譜范圍較寬，從紫外延伸到近紅外，但主要集中在可見(jiàn)光范圍。廣譜輻射有助于增強(qiáng)基板表面上的粒子對(duì)等離子體輻射能量的有效吸收。等離子體的產(chǎn)生和擴(kuò)散，以及其自身的性質(zhì)，都會(huì)影響到基板表面的顆粒，直接影響去除效果。可以說(shuō), 粒子去除的物理過(guò)程與等離子體的特性密不可分。

2、橡膠表面處理采用等離子刻蝕機(jī)，接受高速、高能恒星的沖擊。這種材料結(jié)構(gòu)的表層可以向外延伸，同時(shí)在材料表層形成活性層，因此橡膠可以用于印刷、涂膠、涂膠等操作。等離子蝕刻機(jī)用于橡膠表面處理，操作方便，不產(chǎn)生有害物質(zhì)，清洗效果好，效率高，運(yùn)行成本低。等離子蝕刻機(jī)可在材料表面引起各種物理和化學(xué)變化，腐蝕，形成致密的交聯(lián)層，并提供親水性、粘合性和染色性。 它具有生物相容性和電氣特性?？吹搅嗽黾印?/p>

這很重要，因?yàn)殒N多層結(jié)構(gòu)通常外延生長(zhǎng)。,且期間的感應(yīng)層和中間層結(jié)構(gòu)一般采用鍺合金材料，選擇高倍率工藝可以更好地控制此類(lèi)多層結(jié)構(gòu)的刻蝕。我們知道CF4也是一種高反應(yīng)性的化學(xué)蝕刻氣體。由于這種效應(yīng)，當(dāng)向 CF4 添加氧時(shí)，蝕刻選擇性很高。這是因?yàn)檠鯕馀c底層材料 (SN) 發(fā)生反應(yīng)以促進(jìn)表面保護(hù)膜的形成，從而防止進(jìn)一步蝕刻并提高選擇性。用CF4蝕刻的形式似乎也很出色，但氯蝕刻的優(yōu)點(diǎn)是損傷少，適用于界面層和溝道層。

過(guò)蝕刻使用CH3F/O2氣體對(duì)氮化硅和氧化硅實(shí)現(xiàn)高蝕刻選擇性，并通過(guò)一定量的過(guò)蝕刻去除剩余的氮化硅。硅溝槽是在等離子處理器中通過(guò)干法和濕法蝕刻的組合形成的。干法蝕刻用于電感耦合硅蝕刻機(jī)中的體硅蝕刻。使用 HBR / O2 氣體工藝。側(cè)壁和柵極硬掩模層的高選擇性可以有效防止多晶硅柵極的暴露。 在隨后的外延工藝中，過(guò)多的鍺硅缺陷會(huì)在柵極上生長(zhǎng)。這種過(guò)多的鍺硅缺陷會(huì)導(dǎo)致柵極和通孔之間的短路故障。

外延片去膠

隨著半導(dǎo)體規(guī)模接近其物理極限，外延片去膠機(jī)器新材料、新器件結(jié)構(gòu)和新工藝不斷被引入集成電路制造工藝中，以延續(xù)摩爾定律并使器件尺寸更小 包括高介電常數(shù)材料、鍺硅載流子傳輸增強(qiáng)材料、金屬柵極材料、SICONITM預(yù)清洗工藝、分子束外延生長(zhǎng)工藝等，PLASMA清洗機(jī)氣體材料的種類(lèi)和數(shù)量也在相應(yīng)變化。獲得。一般來(lái)說(shuō)，等離子清洗機(jī)的氣體材料根據(jù)數(shù)量、制造工藝難度和安全性分為通用氣體和特殊氣體兩大類(lèi)。