隨著微電子器件的小原子層沉積（ALD）技術(shù)的快速發(fā)展，泉州大氣直噴射等離子清洗機(jī)該技術(shù)對于高縱橫比的溝槽和具有復(fù)雜三維結(jié)構(gòu)的表面具有出色的臺階覆蓋率。更重要的是，它是基于前體表面的。限制自化學(xué)吸附反應(yīng)，ALD可以通過控制循環(huán)次數(shù)來精確控制薄膜厚度。在ALD工藝中，沉積材料的前體和反應(yīng)的前體交替進(jìn)入反應(yīng)室。在此期間，未反應(yīng)的前體被惰性氣體吹掃，使反應(yīng)氣體交替進(jìn)入自限沉積模式。近年來，許多研究人員使用原子層沉積技術(shù)沉積銅薄膜。

CH4 + E * & MDASH;> CH3 + H + E (3-1) CH3 + E * & MDASH;> CH2 + H + E (3-2) CH2 + E * & MDASH;> CH + H + E (3-3) CH + E * & MDASH;> C + H + E (3-4) CH4 + E * & MDASH;> CH2 + 2H (H2) + E (3-5) CH4 + E * & MDASH;> CH + 3H (H2 + H) + E (3-6) CH4 + E * & MDASH; C + 4H (2H2) + E (3-7) 自由基和下一個產(chǎn)品 A 之間的耦合發(fā)生反應(yīng)。

作為電子加速的機(jī)理，泉州大氣等離子設(shè)備當(dāng)電子與氬原子彈性碰撞并繞電場運(yùn)行時，電子的速度和能量增加，如果滿足上述條件，電子可以獲得電離能。 . , 即使在電場強(qiáng)度很弱的情況下也可以獲得電離能。使用這種機(jī)制，理想的電場頻率范圍通常在幾千 MHz 左右。有學(xué)者將這一機(jī)制延伸，認(rèn)為從壁面和陰極發(fā)射的二次電子加速后，進(jìn)入光放電區(qū)，成為屬于二次電子擴(kuò)散現(xiàn)象的額外電子源。

氧化鈦膜厚：0.400 μm 0.43 μm 0.47 μm 0.53 μm 0.58 μm 顏色 紫色 淺藍(lán)色 藍(lán)色 藍(lán)色 綠色 黃色 當(dāng)然，泉州大氣直噴射等離子清洗機(jī)也有氮化硅等其他層可以實(shí)現(xiàn)這種干涉效應(yīng)。還有氧化硅。 , 見下表。

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這些高能電子與甲烷分子發(fā)生非彈性碰撞，然后與許多活性物質(zhì)產(chǎn)生活性自由基，進(jìn)一步碰撞結(jié)合形成新物質(zhì)。

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