上述方法的共同之處都是對AP進行包覆改性,山西粉末等離子清洗機使用方法但包覆劑的用量較大,有可能導致推進劑的能力降低,從而影響其使用,因此尋找AP的表面處理新方法尤其重要。表面等離子處理設備低溫等離子體技術對粉體進行處理可在粉體表面引入活性基團或形成保護膜,從而達到改善粉體分散性、相容性、力學性能等多項性能。該技術具有工藝簡單、效率高、連續(xù)性強、無溶劑、環(huán)境污染小等優(yōu)點。
現(xiàn)在有了一種新的快捷、方便的物理處理方法,山西粉末等離子清洗機使用方法即利用等離子清潔機對薄膜作適當?shù)奶幚?,使薄膜在恒壓電暈極化后表現(xiàn)出良好的電荷存儲穩(wěn)定性。用與集成電路工藝兼容的簡單物理方法,使熱生長二氧化硅表面具有疏水性,或在其近表面引人電荷陷阱,達到有效提高駐極化電荷穩(wěn)定性的目的,為集成微音器的制備提供工藝基礎。
使用Cl2/Ar/H2的混合氣體,山西粉末等離子清洗機使用方法在150℃下雖能獲得較好的磷化銦圖形,高溫度下可以獲得光滑連續(xù)的圖形形貌,但150℃的溫度畢竟已經(jīng)不能算是低溫。 2007年清華大學報道了進一步優(yōu)化氣體配比并改善其他條件的方法來克服這些難題,該蝕刻方法可以在室溫條件下克服副產(chǎn)物難揮發(fā)的難題。因為合適的CH4和氯氣的氣體配比會形成In(CH)x的副產(chǎn)物,這類副產(chǎn)物較InClx更容易揮發(fā)去除。
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