在目前ITO玻璃清洗工藝、COG-LCD生產(chǎn)工藝的應(yīng)用中,cob等離子體除膠設(shè)備大家都在嘗試使用各種清洗劑(酒精清洗劑、超聲波清洗劑)來(lái)清洗玻璃,但是清洗劑的引入會(huì)引起其他相關(guān)問(wèn)題。因此,探索新的清洗方法成為各廠(chǎng)家努力的方向。采用COGLCD等離子清洗機(jī)逐步清洗ITO玻璃表面是一種有效的清洗方法。
反應(yīng)產(chǎn)物主要是活性物質(zhì)在同分異構(gòu)體的催化作用下在第三體表面重新組合而成,cob等離子體表面清洗即CHx在第三體表面重新組合而成C2碳?xì)浠衔?,CO是二氧化碳直接分解或C與O(含氧)活性物質(zhì)在第三體表面重組而成。顯然,催化劑對(duì)反應(yīng)體系中各種自由基的吸附能力以及吸附位置是否合適都會(huì)影響C2烴類(lèi)和co的產(chǎn)率。對(duì)于Na2WO4/Y-Al203催化劑,C2烴類(lèi)的產(chǎn)率遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于其他催化劑。
防水涂料處理后常用的產(chǎn)品是CO2和H2O,cob等離子體表面清洗不污染環(huán)境,在非常潔凈的環(huán)境下工作。等離子體清洗是目前最理想的樣品處理技術(shù)。其優(yōu)點(diǎn)是處理后無(wú)殘留,可以防止樣品在未來(lái)使用中形成污垢,在敏感膜微分析中不形成吸收層,在高增長(zhǎng)率下獲得更好的數(shù)據(jù),真實(shí)的表面成像和表面成分分析,成本低,操作方便,即使樣品表面沒(méi)有形成污垢,也可以觀察到表面經(jīng)過(guò)等離子體處理后得到優(yōu)化。
雖然提高功率密度可以提高甲烷和CO2的轉(zhuǎn)化率,cob等離子體表面清洗但有利于甲烷(4.5eV)的c-H鍵斷裂和CO2 (5.45eV)的C-O鍵斷裂,但影響不同。當(dāng)功率密度低于1500KJ/mol時(shí),相同實(shí)驗(yàn)條件下甲烷的轉(zhuǎn)化率高于CO2,說(shuō)明功率密度較低時(shí),系統(tǒng)中高能電子的平均能量較低。大部分電子能接近甲烷C-H鍵的平均鍵能,但低于Co2C-O鍵的裂解能,因此甲烷的轉(zhuǎn)化率高于CO2。
cob等離子體除膠設(shè)備
根據(jù)結(jié)論分析,我們會(huì)發(fā)現(xiàn)等離子清洗機(jī)產(chǎn)生的主要因素有兩個(gè):①等離子清洗機(jī)形成的等離子放電會(huì)將酚羥基(-OH)、羧酸羧基(-COOH)、羰基(C=O)等親水基團(tuán)引入表面層,增加了對(duì)原材料表面的侵入,進(jìn)一步提高了基材表面的附著力和結(jié)合強(qiáng)度。等離子體技術(shù)形成的等離子體清洗機(jī)使原材料的分子鍵被打開(kāi),交聯(lián)功能和低分子量污染物被刪除,和原材料的表層形式一個(gè)干凈的和強(qiáng)大的界面層,也可以促進(jìn)改善附著力和粘接強(qiáng)度。
熱燃燒法在高溫下惡臭物質(zhì)與燃?xì)獬浞只旌希耆紵m用于高濃度、體積小的可燃?xì)怏w的處理,凈化效率高,惡臭物質(zhì)被設(shè)備徹底氧化分解腐蝕,油耗大,處理成本高,容易形成二次污染,催化劑poisoningCatalytic combustionWater吸收的方法利用特征氣味的一些物質(zhì)溶于水,所以氣味組件直接與水接觸,以便溶于水達(dá)到除臭的目的水溶性,有組織的惡臭氣體排放源工藝簡(jiǎn)單,管理方便,設(shè)備運(yùn)行成本低,產(chǎn)生二次污染,洗滌液需要進(jìn)行處理;凈化效率低,應(yīng)與其他技術(shù)結(jié)合使用,對(duì)水溶性物質(zhì)處理效果差。
在這個(gè)過(guò)程中,需要真空泵使某些真正的低壓條件,以滿(mǎn)足清洗要求。今天等離子清洗機(jī)廠(chǎng)家來(lái)告訴大家流程是什么。等離子體清洗等離子體清洗所需的等離子體主要是由真空、放電等特殊場(chǎng)合的特定氣體分子產(chǎn)生的,如低壓氣體輝光等離子體。只是說(shuō)開(kāi)始時(shí),等離子體清洗需要在真空狀態(tài)下進(jìn)行,在低壓狀態(tài)下,如果真空意味著沒(méi)有等離子體,等離子體清洗將不存在(一般需要保持在Pa),所以需要一個(gè)真空泵抽真空操作。
當(dāng)選擇稀有氣體進(jìn)行等離子清洗機(jī)的表面處理時(shí),如果處理后的高分子材料本身含有O2,大分子破碎分解后的大分子碎片將進(jìn)入等離子技術(shù),為等離子體系統(tǒng)提供氧氣的同時(shí),產(chǎn)生等離子體技術(shù)的效果。如果材料本身不含O2,惰性等離子體清潔技術(shù)處理后空氣中的新自由基和O2也會(huì)導(dǎo)致O2與高分子鏈結(jié)合。結(jié)果表明,在處理含氧高分子材料時(shí),惰性氣體等離子體技術(shù)能產(chǎn)生交聯(lián)腐蝕和引入極性基團(tuán)。
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Lee等研究發(fā)現(xiàn),cob等離子體除膠設(shè)備門(mén)狀形態(tài)對(duì)TDDB也有影響,腳突出的門(mén)狀形態(tài)比筆狀更好TDDB柵極氧化層的性能很差的網(wǎng)格或凹網(wǎng)格,因?yàn)殡x子會(huì)通過(guò)大門(mén)進(jìn)入柵氧化層伸出腳高能離子注入過(guò)程中等離子體的等離子體設(shè)備清潔,導(dǎo)致氧化層的破壞。
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