硅大規(guī)模集成電路和半導(dǎo)體激光器的發(fā)明，外延片plasma表面清洗機(jī)器使世界進(jìn)入了以微電子和光電子技術(shù)為基礎(chǔ)的信息化時(shí)代，極大地促進(jìn)了社會(huì)經(jīng)濟(jì)的發(fā)展。 6 分子束外延的發(fā)明 制造雙異質(zhì)結(jié)激光器的一項(xiàng)重要技術(shù)是分子束外延。 1968年，諾基亞貝爾實(shí)驗(yàn)室的卓一和發(fā)現(xiàn)，通過在超高真空容器中精細(xì)控制束流的大小和時(shí)間，可以根據(jù)需要生長不同層和不同類型的半導(dǎo)體材料。外延技術(shù)。圖 11 顯示了分子束外延設(shè)備的示意圖。

硅襯底表面低溫等離子動(dòng)力氫等離子原位清洗 硅襯底表面低溫等離子動(dòng)力氫等離子原位清洗：硅表面清洗技術(shù)由兩部分組成：襯底裝入沉積系統(tǒng)前的異位表面清洗和外延前沉積系統(tǒng)中的原位清洗。廣泛使用的堿性和酸性過氧化氫清洗液可以去除硅片表面大部分被污染的金屬離子和含碳基團(tuán)，外延片plasma活化機(jī)形成一層幾乎不含碳的薄氧化層。這在最小化中起著非常重要的作用。大氣和系統(tǒng)中的含碳基團(tuán)對硅表面的污染。

這很重要，外延片plasma表面清洗機(jī)器因?yàn)殒N多層結(jié)構(gòu)通常外延生長。,且期間的感應(yīng)層和中間層結(jié)構(gòu)一般采用鍺合金材料，選擇高倍率工藝可以更好地控制此類多層結(jié)構(gòu)的刻蝕。我們知道CF4也是一種高反應(yīng)性的化學(xué)蝕刻氣體。由于這種效應(yīng)，當(dāng)向 CF4 添加氧時(shí)，蝕刻選擇性很高。這是因?yàn)檠鯕馀c底層材料 (SN) 發(fā)生反應(yīng)以促進(jìn)表面保護(hù)膜的形成，從而防止進(jìn)一步蝕刻并提高選擇性。用CF4蝕刻的形式似乎也很出色，但氯蝕刻的優(yōu)點(diǎn)是損傷少，適用于界面層和溝道層。

這類材料結(jié)構(gòu)的表層可以向外延伸，外延片plasma表面清洗機(jī)器同時(shí)在材料表層形成活性層，可以用橡膠印刷。、粘接、涂裝等作業(yè)。使用等離子清洗機(jī)進(jìn)行橡膠表面處理具有操作方便、清洗效果好、工作效率高、運(yùn)行成本低等特點(diǎn)。用等離子清洗裝置處理會(huì)引起材料表面的各種物理化學(xué)變化、腐蝕，并形成致密的交聯(lián)層，從而產(chǎn)生親水性、結(jié)合性、染色性，提高生物相容性，改善電性能。

外延片plasma表面清洗機(jī)器

與低氫灰化工藝相比，高氫灰化工藝可以更有效地去除硅溝槽表面的Si-C鍵，達(dá)到改善SiGe外延缺陷的目的。..等離子清洗設(shè)備的氧化灰化工藝也可以在增加氧化量的基礎(chǔ)上達(dá)到改善外延缺陷的目的。然而，這樣的工藝導(dǎo)致溝槽表面上的氧化硅層更厚。如前所述，去除灰化產(chǎn)生的氧化硅層的工藝也會(huì)破壞淺溝槽隔離的氧化硅層，影響器件的性能，所以采用氧化灰化工藝硅鍺工藝。

在頂部，如果偏移側(cè)壁的厚度不足以保護(hù)多晶硅，在隨后的硅鍺外延生長中，硅鍺外延可以在多晶硅頂部生長，形成缺陷，導(dǎo)致器件失效。會(huì)更高。當(dāng)多晶硅的極限尺寸小于硬的。使用掩模膜可以大大降低出現(xiàn)此類缺陷的可能性，從而提高產(chǎn)量。同樣，如果多晶硅在刻蝕后出現(xiàn)嚴(yán)重的底部長腿，那么在PSR刻蝕中底部偏移的側(cè)壁間隔也會(huì)消耗更多，后續(xù)的硅鍺外延會(huì)在多晶硅底部生長。硅鍺缺陷。

此外，由于該過程總是由人在無塵室中完成，因此半導(dǎo)體晶片不可避免地會(huì)受到各種雜質(zhì)的污染。根據(jù)污染物的來源和性質(zhì)，大致可分為四類：顆粒物、有機(jī)物、金屬離子和氧化物。顆粒主要是一些聚合物、光刻膠和蝕刻雜質(zhì)。這種污染物通常主要通過范德華引力吸附到晶片表面。這會(huì)影響器件光刻工藝的形狀組成和電氣參數(shù)。去除此類污染物的主要方法是通過物理或化學(xué)方式對顆粒進(jìn)行底切，逐漸減小與晶片表面的接觸面積，最后去除顆粒。

生物滴流過濾器的原理與生物過濾器類型相同。同樣，使用的過濾介質(zhì)是惰性材料，例如不提供營養(yǎng)的聚丙烯顆粒、陶瓷、木炭或塑料。只有被一些惡臭物質(zhì)分解的微生物附著在填料上，生物濾池中的微生物相互混合，同時(shí)濾料中的有機(jī)物不被消耗。不需要過濾材料。通過更換它，可以減少壓力損失，并且可以輕松控制運(yùn)行條件。它是一種營養(yǎng)物質(zhì)，受溫度和濕度影響較大，操作復(fù)雜，生物菌生長需要時(shí)間，損傷后恢復(fù)時(shí)間長。

外延片plasma活化機(jī)

隨著氣體變稀，外延片plasma活化機(jī)分子間的距離變大，分子和離子的自由運(yùn)動(dòng)距離變長，電場的作用使它們碰撞形成等離子體，等離子體的活性越來越高。暴露表面上可能破壞其能量的所有化學(xué)鍵 不同的氣體等離子體具有不同的特性。例如，氧等離子體具有很強(qiáng)的氧化性，可以將光光反應(yīng)產(chǎn)生的氣體氧化，從而達(dá)到清潔的效果。蝕刻氣體等離子體具有優(yōu)良的氧化特性。由于其各向異性，可以滿足蝕刻的需要。

IC集成電路制造等離子清洗在封裝技術(shù)中的應(yīng)用 IC集成電路制造等離子清洗在封裝技術(shù)中的應(yīng)用：在國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)鏈中，外延片plasma表面清洗機(jī)器集成電路封裝產(chǎn)業(yè)是支柱產(chǎn)業(yè)。由于集成電路器件尺寸的不斷縮小和計(jì)算速度的不斷提高，封裝技術(shù)已成為一項(xiàng)重要的技術(shù)。產(chǎn)品質(zhì)量和成本受包裝過程的影響。