射頻等離子處理器在純鈦表面改性,極耳等離子體去膠引入氨基化學鍵:鈦和鈦。合金密度低,低彈性模量和優(yōu)異的耐腐蝕性。由于其性別和生物相容性優(yōu)勢,近年來被廣泛應用于生物植入物。但鈦種植體存在骨誘導作用不足、與周圍組織結合力差、愈合時間長等問題。在高頻等離子處理設備中使用等離子射流、等離子噴射和化學處理來提高材料的生物活性變得越來越流行。當心。

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空氣等離子噴涂機上的復合涂層大多具有層狀多孔結構,極耳等離子體去膠機器使涂層耐高溫、耐腐蝕、耐磨損,使用壽命顯著縮短。高超聲速噴涂設備的特點是高溫高速運轉,可以提高接頭的硬度和氣密性。結果發(fā)現(xiàn),碳纖維本身具有優(yōu)良的硬度、剛性、耐磨性、耐熱性、耐磨性、粘合強度等,是一種新型的熱噴涂裝置技術。添加碳纖維/碳納米管可以改善涂層的內部結構,提高其機械性能。碳纖維和碳納米管相互約束,提高了涂層的韌性,提高了耐磨性和附著力。

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日冕亮點是太陽“環(huán)形磁場”運動的標志,在過去的二十年里,它像太陽的“橡皮筋”一樣包裹著太陽,東西向擴展,并緩慢地向赤道移動.當這些環(huán)形磁場像波浪一樣到達地表時,它們會產(chǎn)生太陽黑子和它們當前出現(xiàn)的亮點。當它們移動時,它們還充當磁壩,在來世捕獲等離子體。當來自太陽北半球和南半球的環(huán)形磁場與中心接觸時,它們的抵消電荷使它們彼此消失,并在海嘯后面釋放出積累的等離子體液體。

Plasma Surfacer FinFET 上的多晶硅柵極蝕刻 Plasma Surfacer FinFET 上的多晶硅柵極蝕刻:FinFET 使用 28nm 平面晶體管上使用的雙圖案方法定義柵極線和線端。與平面晶體管的區(qū)別在于,F(xiàn)inFET 是 3D 晶體管。多晶硅柵極跨越鰭片,這種差異在等離子表面處理設備的蝕刻工藝中產(chǎn)生了差異。蝕刻后多晶柵的截面形貌對后續(xù)工藝有很大影響。

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電路板的等離子處理印刷電路板,尤其是高密度互連(HDI)板的制造,需要對孔進行金屬化,以通過金屬化孔完成層之間的導電。由于激光鉆孔和機械鉆孔過程中的高溫,鉆孔后經(jīng)常會殘留粘附在鉆孔上的凝膠狀物質。為避免后續(xù)金屬化過程中出現(xiàn)質量問題,應在金屬化過程之前將其去除。目前,去污工藝主要是濕法工藝,如高錳酸鉀法,但由于化學溶液不易進入孔內,去污效果有限。等離子清潔器可以很好地處理這個問題,就像干法一樣。

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