在等離子真空等離子清洗機(jī)中，基布與濕法Pu附著力材料PU管主要用于輸送一般工業(yè)氣體，輸送氣缸中的輸送氣體管及其控制部件的輸送氣體管。PU管具有以下優(yōu)點(diǎn):1、耐彎曲性好，彎曲角度小，便于在配管作業(yè)中使用;2、PU管具有良好的耐磨性、耐壓性、抗疲勞性;3、PU管更加美觀、輕便、靈活;PU管具有較高的性價(jià)比和價(jià)格優(yōu)勢(shì)。

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例如，基布與濕法Pu附著力材料主要圖形處理技術(shù)提供商 NVIDIA 剛剛推出了下一代 GPU。 CES 通常是展示期待已久的新一代設(shè)備的理想場(chǎng)所，但展會(huì)形式與以往不同，為什么不早點(diǎn)推出 RTX 3000 系列呢？它的推出非常成功，我預(yù)計(jì)類似的設(shè)備將會(huì)以更快的速度推出。

與傳統(tǒng)的化學(xué)濕處理工藝相比，pu附著力不強(qiáng)等離子體表面處理聚合物數(shù)據(jù)具有許多優(yōu)點(diǎn)。主要優(yōu)點(diǎn)如下。1.等離子表面處理只能改善數(shù)據(jù)的表面功能，不改變基布特性。2.等離子體外處理容易改變聚合物的外觀功能，而化學(xué)濕法不能改變或難以改變。3.等離子體表面處理是物理過(guò)程，因此化學(xué)物質(zhì)的消耗很小。4.整個(gè)等離子體表面處理過(guò)程在鏜閉式系統(tǒng)中完成，可靠性高，安全性好。5.等離子體表面處理工藝非常環(huán)保。

基布與濕法Pu附著力材料

紡織等離子表面處理：紡織行業(yè)早就認(rèn)識(shí)到，織物的表面性能是許多加工技術(shù)和應(yīng)用的重要因素，并且對(duì)織物表面性能的某些要求往往與基布不同。很大的不同?？椢锏谋砻嫘阅懿粌H決定了織物的染色率和抗變色性，還決定了織物整理工藝的簡(jiǎn)單性、涂層與基布的結(jié)合強(qiáng)度，也決定了涂層與基布的結(jié)合力。兼容性起著重要作用。此外，表面特性在需要液體化學(xué)的醫(yī)療植入物的滅菌性能和生物相容性中起著重要作用。

相對(duì)于傳統(tǒng)的化學(xué)濕法處理工藝，用等離子外表處理聚合物資料有眾多優(yōu)勢(shì)。主要優(yōu)勢(shì)有如下幾點(diǎn)。 1、等離子外表處理能夠在不改動(dòng)基布特性的前提下，僅僅改進(jìn)資料的外表功用。 2、等離子外表處理能夠很容易地改動(dòng)聚合物的外表功用，可是選用化學(xué)濕法卻無(wú)法改動(dòng)或很難改動(dòng)。 3、等離子外表處理是一個(gè)物理進(jìn)程，因而化學(xué)物質(zhì)的耗費(fèi)量很少。 4、整個(gè)等離子外表處理進(jìn)程是在一個(gè)枯燥封閉的系統(tǒng)內(nèi)完結(jié)的，可靠性高，安全性好。

第四，無(wú)線電范圍內(nèi)的高頻產(chǎn)生的等離子體不同于激光等直射光。等離子的方向不強(qiáng)，深入到細(xì)孔和凹入物體的內(nèi)部完成清洗操作，所以不需要考慮被清洗物體的形狀。此外，這些難清洗部位的清洗效果等同于或優(yōu)于氟利昂清洗。五。等離子清洗可用于顯著提高清洗效率。整個(gè)清洗過(guò)程可在幾分鐘內(nèi)完成，其特點(diǎn)是良率高。 6、等離子清洗需要控制的真空度在 PA左右，這個(gè)清洗條件很容易達(dá)到。

這在世界高度關(guān)注環(huán)境保護(hù)的當(dāng)下，越來(lái)越顯示出它的重要性；4.無(wú)線電波范圍內(nèi)高頻產(chǎn)生的等離子體不同于激光等直射光。等離子體的方向性不強(qiáng)，使其深入到物體的微孔和凹陷處完成清洗任務(wù)，因此不需要過(guò)多考慮被清洗物體的形狀。而且，這些不易清洗的部位，清洗效果甚至比氟利昂清洗還要好；5.采用等離子清洗，可大大提高清洗效率。

pu附著力不強(qiáng)

等離子的方向不強(qiáng)，pu附著力不強(qiáng)深入到細(xì)孔和凹入物體的內(nèi)部完成清洗操作，所以不需要考慮被清洗物體的形狀。此外，這些難清洗部位的清洗效果等同于或優(yōu)于氟利昂清洗的效果。五。等離子清洗避免了清洗液的運(yùn)輸、儲(chǔ)存、排水等方式，便于保持生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)的清潔衛(wèi)生； 6.等離子清洗可以處理多種材料，無(wú)論是金屬、半導(dǎo)體、氧化物，還是高分子材料（聚丙烯、聚氯乙烯、聚四氟乙烯、聚酰亞胺、聚酯、環(huán)氧樹(shù)脂等）。其他聚合物）可以用等離子體處理。

IBM提出的P4（Post Porosity Plasma Protection）方法可以有效減少等離子刻蝕過(guò)程中對(duì)多孔低k材料的損傷。 low-kTDDB的失效時(shí)間，pu附著力不強(qiáng)實(shí)線為VE模型，與（b）有和沒(méi)有P4方法保護(hù)的貧碳層比較P4法保護(hù)的低k碳耗盡層在蝕刻后顯著減少，孔隙顯著減少。速度越高，越明顯。影響。