在直流電壓的作用下，附著作用和附著力正負(fù)電暈均在尖端電極附近積聚空間電荷。在負(fù)電暈中，當(dāng)電子引起碰撞電離時(shí)，它們被驅(qū)離尖端電極并形成負(fù)離子，而正離子積聚在電極表面附近。隨著電場(chǎng)繼續(xù)增強(qiáng)，正離子被吸引到電極和脈沖電暈電流出現(xiàn)，而負(fù)離子擴(kuò)散到間隙空間。然后重復(fù)電離和帶電粒子的過(guò)程。這種循環(huán)使許多電暈電流脈沖出現(xiàn)。電暈放電可以在大氣壓下工作，但需要足夠高的電壓來(lái)增加電暈處的電場(chǎng)。
優(yōu)點(diǎn) 1、等離子清洗后，附著作用和附著力被清洗物干燥，無(wú)需進(jìn)一步干燥即可送入下道工序。可以提高整個(gè)工藝線(xiàn)的加工效率。 2.等離子清洗使用戶(hù)遠(yuǎn)離人體中的有害溶劑。第三，該清洗方式避免使用三氯乙烷等ODS有害溶劑，防止清洗后有害污染物的產(chǎn)生，是一種環(huán)保的綠色清洗方式。隨著世界對(duì)環(huán)境保護(hù)的極大興趣，這一點(diǎn)變得越來(lái)越重要。第四，無(wú)線(xiàn)電范圍內(nèi)的高頻產(chǎn)生的等離子體不同于激光等直射光。
當(dāng)硅電極厚度降低到一定程度時(shí)，附著作用和附著力需要更換新的硅電極。因此，硅電極是晶圓蝕刻工藝的核心耗材。隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，芯片的線(xiàn)寬不斷縮小，硅芯片的規(guī)模不斷擴(kuò)大。芯片線(xiàn)寬由130nm、90nm、65nm逐漸發(fā)展到45nm、28nm、14NM，達(dá)到了7nm先進(jìn)制造工藝的技術(shù)水平，同時(shí)硅片已經(jīng)從4英寸、6英寸、8英寸發(fā)展到12英寸，未來(lái)將突破到18英寸。
等離子清洗機(jī)的關(guān)鍵是低溫等離子體的應(yīng)用，附著作用和附著力它主要依賴(lài)于高溫、高頻、高能等外界條件產(chǎn)生，是一種電中性、高能量、全部或部分離子化的氣態(tài)物質(zhì)。低溫等離子體的能量約為幾十電子伏特，其中所包含的離子、電子、自由基等活性粒子以及紫外線(xiàn)等輻射線(xiàn)很容易與固體表面的污染物分子發(fā)生反應(yīng)而使其脫離，進(jìn)而可起到清洗的作用。同時(shí)由于低溫等離子體的能量遠(yuǎn)低于高能射線(xiàn)，因此此技術(shù)只涉及材料表面，對(duì)材料基體性能不產(chǎn)生影響。
附著作用和附著力
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附著作用和附著力
