氬等離子體蝕刻機(jī)處理TiO2塑料膜會(huì)引入氧空位，蝕刻氣體對(duì)于純度的要求水會(huì)中和這些氧空位形成OH基團(tuán)，從而提高TiO2塑料膜的潤(rùn)濕性。氬等離子體處理可有效提高NGT基TiO2塑料薄膜的潤(rùn)濕性。。

等離子體處理通過(guò)化學(xué)或物理作用對(duì)工件表面進(jìn)行處理，蝕刻氣體C4F6反應(yīng)氣體電離產(chǎn)生高反應(yīng)性離子，與表面污染物發(fā)生化學(xué)反應(yīng)進(jìn)行清洗。反應(yīng)氣體需要根據(jù)污染物的化學(xué)成分來(lái)選擇。基于化學(xué)反應(yīng)的等離子體清洗速度快，選擇性好，有機(jī)污染物的清洗效果較好。等離子體清洗常用氬氣，其表面反應(yīng)是以物理效應(yīng)為基礎(chǔ)的，因此不會(huì)產(chǎn)生氧化副產(chǎn)物，蝕刻效果具有各向異性。

低溫等離子體的能量通常為幾十~幾十電子伏(電子0~ 20ev，蝕刻氣體對(duì)于純度的要求離子0~ 2ev，亞穩(wěn)離子0~ 20ev，紫外/可見(jiàn)光3~ 40ev)，而PTFE中C-F鍵的鍵能為4.4 eV, C-C鍵的鍵能為3.4 eV。可可以看出，低溫等離子體的能量高于化學(xué)鍵的能量，足以打破PTFE表面的分子鍵，從而產(chǎn)生蝕刻、交聯(lián)、接枝等一系列的物理化學(xué)反應(yīng)。

在等離子體蝕刻中，蝕刻氣體C4F6基于等離子體作用的物理蝕刻和基于活性的蝕刻同時(shí)進(jìn)行群作用化學(xué)蝕刻。等離子體蝕刻工藝，開(kāi)始于相對(duì)簡(jiǎn)單的平板二極管技術(shù)，已經(jīng)發(fā)展到使用價(jià)值數(shù)百萬(wàn)美元的模塊化室，配備了多頻發(fā)生器、靜電吸盤(pán)、外墻溫度控制器和各種專門(mén)為特定薄膜設(shè)計(jì)的流量控制傳感器?？梢晕g刻的電解質(zhì)是二氧化硅和氮化硅。這兩種介質(zhì)的化學(xué)鍵能很高，一般需要使用氟碳?xì)怏w(如CF4、C4F8等)產(chǎn)生的高活性氟等離子體對(duì)其進(jìn)行刻蝕。

蝕刻氣體對(duì)于純度的要求

等離子清洗機(jī)，等離子體的具體應(yīng)用:等離子清洗機(jī)/蝕刻機(jī)生產(chǎn)的等離子體裝置設(shè)置在一個(gè)密閉的容器中，兩個(gè)電極用真空泵形成電場(chǎng)，以達(dá)到一定的真空度，隨著氣體越來(lái)越薄，分子之間的距離和自由流動(dòng)的分子或離子之間的距離也越來(lái)越長(zhǎng),電場(chǎng),它們碰撞,形成等離子體,這些離子的活性非常高,它的能量就足以打破化學(xué)鍵,幾乎所有在任何暴露面引起的化學(xué)反應(yīng)。

等離子體清洗/蝕刻生產(chǎn)等離子設(shè)備設(shè)置在密閉容器兩個(gè)電極形成電磁場(chǎng),利用真空泵達(dá)到一定程度的真空,天然氣越來(lái)越薄,分子之間的距離和自由流動(dòng)的分子或離子之間的距離也越來(lái)越長(zhǎng),磁場(chǎng)效應(yīng)，碰撞和等離子體的形成，輝光會(huì)同時(shí)發(fā)生。等離子體在電磁場(chǎng)的空間運(yùn)動(dòng)，并轟擊被處理物體的表面，從而達(dá)到表面處理的效果，清洗和蝕刻等離子體清洗機(jī)有以下九個(gè)優(yōu)點(diǎn):清洗對(duì)象經(jīng)等離子清洗后干燥，無(wú)需進(jìn)一步干燥處理即可送入下道工序。

GST是一種金屬合金，任何酸或堿都會(huì)造成嚴(yán)重的腐蝕，所以GST等離子蝕刻只能使用低濃度的酸(或堿)濕式清洗劑，對(duì)GST蝕刻副產(chǎn)物中含有金屬元素的清洗效果較差。因此，介紹了一種等離子體清洗后蝕刻處理技術(shù):在完成GST蝕刻并去除光刻膠后，加入一種短的一步氟化氣體作為蝕刻劑(CF4、SF6、NF3等蝕刻配方，通過(guò)氟氣活化GST蝕刻副產(chǎn)物，可明顯提高濕法清洗效果。。

等離子體表面活化是指物體表面經(jīng)過(guò)等離子清洗機(jī)處理后可以增強(qiáng)、提高附著力、附著力;等離子清洗機(jī)表面蝕刻是指將數(shù)據(jù)表面反應(yīng)氣體后，對(duì)等離子體進(jìn)行選擇性蝕刻，蝕刻后的數(shù)據(jù)被轉(zhuǎn)換成氣相并由真空泵排出，經(jīng)過(guò)處理后的數(shù)據(jù)比表面產(chǎn)品添加微觀且具有良好的親水性;等離子清洗機(jī)納米涂層是反應(yīng)氣體如:六甲基二硅烷醚(HMDSO)，六甲基二硅烷胺(HMDSN)，四乙二醇二甲基醚，六氟乙烷(C2F6)。

蝕刻氣體對(duì)于純度的要求

此外，蝕刻氣體對(duì)于純度的要求由于蝕刻和側(cè)壁吸附保護(hù)同時(shí)進(jìn)行，特征圖案的側(cè)壁變得相當(dāng)光滑。這種同時(shí)蝕刻和保護(hù)的過(guò)程也加快了蝕刻過(guò)程。因此，采用等離子體表面處理器SF6/O2連續(xù)等離子體蝕刻硅基板的工藝稱為標(biāo)準(zhǔn)超低溫工藝。精確控制含有SiOxFy無(wú)機(jī)副產(chǎn)物的保護(hù)層形成圖形側(cè)壁將是標(biāo)準(zhǔn)超低溫蝕刻工藝的關(guān)鍵步驟。

主控板和傳感器板可以與剛性慢板集成，蝕刻氣體對(duì)于純度的要求解決了很多問(wèn)題，也滿足了桶式機(jī)的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)要求。2、剛性慢板的設(shè)計(jì)要點(diǎn):A、需要考慮柔性板的彎曲半徑，彎曲半徑太小會(huì)容易損壞。B、有效減少總面積，優(yōu)化設(shè)計(jì)降低成本。安裝后的三維空間結(jié)構(gòu)需要考慮。為了更好的設(shè)計(jì)，有必要考慮柔性部件接線的層數(shù)。考慮到未來(lái)3D打印的發(fā)展，是否有可能打印出奇怪的PCB?避免FPC或僵硬的慢板弱點(diǎn)。安裝更方便，可靠性更高，外形更任意，不易損壞。