在等離子體系統(tǒng)中，pdc-mg等離子蝕刻設(shè)備許多類型的活性粒子會(huì)引起許多反應(yīng)，因此在反應(yīng)過程中幾乎不可能操縱特別重要和決定性的粒子。在等離子體環(huán)境中，高能粒子可以破壞分子中的共價(jià)鍵。高能電子參與電子能量分布函數(shù)的尾部以及非平衡等離子體中存在的強(qiáng)局部電場可能完成新的化學(xué)反應(yīng)。 等離子體環(huán)境適用于許多化學(xué)反應(yīng)。產(chǎn)生特定反應(yīng)的能力主要取決于輸入過程參數(shù)，例如氣體類型、流速、壓力和輸入功率。邊界和基地之間也有各種影響。

，pdc-mg等離子清洗設(shè)備而其他的都是基于當(dāng)前駕駛理論的1/E模型。 E 模型也稱為熱化學(xué)模型。該模型表明，TDDB在低電場強(qiáng)度和高溫下發(fā)生的原因是電場促進(jìn)了電介質(zhì)原子鍵的熱擊穿，外加電場可以延長極性分子鍵并使其在熱過程。會(huì)更高。電場的存在降低了破壞分子鍵所需的能量，因此降解速率隨電場呈指數(shù)增加。如果斷裂鍵或滲透點(diǎn)的局部密度足夠高，則形成從陽極到陰極的導(dǎo)電通路，此時(shí)發(fā)生失效，對(duì)應(yīng)的時(shí)間就是失效時(shí)間。

此類間隔物也稱為氮化硅間隔物或氮化硅/氮化硅（氧化物SIN，pdc-mg等離子清洗設(shè)備ON）間隔物。 0.18M時(shí)代，這個(gè)氮化硅側(cè)壁的應(yīng)力太高了。如果它很大，飽和電流會(huì)降低，泄漏會(huì)增加。為了降低應(yīng)力，需要將沉積溫度提高到700℃，這增加了量產(chǎn)的熱成本，也增加了泄漏。所以在0.18M時(shí)代，選擇了ONO的側(cè)墻。

在防止脫膠方面，pdc-mg等離子清洗設(shè)備熱熔膠和其他優(yōu)質(zhì)粘合劑可以防止一定程度的脫膠。先不說成本高，一旦脫膠，就有投訴和退貨的問題。離子裝置發(fā)射的等離子體中粒子的能量一般在幾到幾十個(gè)電子伏特左右，大于高分子材料的結(jié)合能（幾到10個(gè)電子伏特），這是一種有機(jī)聚合物。新加入。但它遠(yuǎn)低于高能放射線，只包含材料表面，無磨損，不影響基體性能。

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表 4-2 堿土金屬氧化物催化劑對(duì)反應(yīng)的影響（單位：%） . 315.734 .4SrO / Y-Al2O324.619.366.216.334.2BaOr / Y-Al2O326.419.463.316.735.6 BaO負(fù)載量和催化劑燒成溫度對(duì)負(fù)載為5%時(shí)負(fù)載型堿金屬氧化物催化劑的催化活性是恒定的。 . BaO 負(fù)載增加，CH4 和 CO2 的轉(zhuǎn)化率出現(xiàn)峰形變化，在負(fù)載 10% 時(shí)達(dá)到峰值。

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