科技之后，外延片除膠材料依賴的歷史很快就從硅材料時代轉向了金剛石時代。然而，此時金剛石薄膜的等離子體化學氣相沉積機理尚不明確，尤其是異質外延單晶金剛石薄膜仍然非常困難，多原子分子、復雜的反應體系、基礎資料等方面存在不足。但是，經過20多年的理論和實驗研究，人們不僅開發(fā)出了各種等離子化學氣相沉積技術來制作金剛石薄膜，而且經過分析總結，對影響金剛石薄膜生長的因素也有所了解。實驗數(shù)據(jù)。

真空鍍膜可分為蒸發(fā)沉積鍍膜和濺射氣相沉積鍍膜兩大類，外延片除膠設備包括真空離子揮發(fā)法、磁控濺射法、分子束外延法和粘合劑溶液凝膠法。厚度均勻性的關鍵是材料和濺射靶材的晶格排列、外表面溫度、蒸發(fā)速率、真空度、鍍膜時間和厚度。取向對稱性受晶格匹配、溫度和蒸發(fā)速率的影響。濺射涂層很容易理解為電子器件或高能激光濺射靶材。表面部分以原子團或離子的形式濺射并沉積在基板的表面上以形成薄膜。

裝置內部處于超高真空條件下（10-10torr），外延片除膠蒸發(fā)器配備原料元素（Ga、As、Al等）源。前面是一個可控擋板，它打開以將蒸發(fā)的源原子引向加熱的襯底以進行外延生長。目前，單原子層的生長是通過這種技術實現(xiàn)的。在設備周圍，有監(jiān)控生長過程的設備。半導體技術的應用 1 LSI 和計算機 LSI道路為計算機和網絡的發(fā)展奠定了基礎。根據(jù)摩爾定律，集成電路的集成度每 18 個月翻一番。

2.使用等離子蝕刻機對橡膠進行表面處理，外延片除膠機器并通過高速接收高能星的沖擊來進行。這種材料結構的表層可以向外延伸，同時在材料表層形成活性層，因此橡膠可以用于印刷、涂膠、涂膠等操作。等離子蝕刻機用于橡膠表面處理，操作方便，不產生有害物質，清洗效果好，效率高，運行成本低。使用等離子刻蝕機時，材料表面發(fā)生各種物理化學變化，被腐蝕，形成高密度交聯(lián)層，產生親水性、粘合性、染色性...它具有生物相容性和電氣特性。

外延片除膠機器

因此，硅溝槽等離子清洗設備干法刻蝕后灰化工藝的選擇非常重要?；一に嚥粌H去除了殘留的光刻膠，而且獲得了純硅表面，用于硅鍺的外延生長?；一に嚢ㄑ趸一?、低氫混合氣體（含氫4%的氮氫混合氣體）灰化、高氫混合氣體（含氫量>20%）灰化。低氫混合氣體灰化工藝可以有效減少光刻膠的殘留和刻蝕副產物，但外延生長缺陷是因為光刻膠和刻蝕副產物不是外延缺陷的主要原因，因此沒有明顯改善。

濺射鍍膜可分為幾種類型，與氣相沉積鍍膜的區(qū)別取決于濺射速率，是主要參數(shù)之一。濺射鍍膜薄膜的成分易于保持，但原子對稱性較弱，晶體取向控制也很常見。影響因素是目標板對準、低壓涂層氣氛、板溫度、激光功率、脈沖頻率和濺射時間。不同材料和基板的濺射具有不同的合適參數(shù)。設備質量好壞的關鍵是對溫度、真空值、真空室清潔度的控制能力。 MBE分子束外延鍍膜技術是解決這個問題的一個很好的方法。

硅鍺溝槽界面對等離子清洗設備蝕刻后Sigma溝槽形狀和硅鍺外延生長的影響：眾所周知，在等離子清潔器中對硅進行干法蝕刻過程中會產生大量的聚合物副產物。設備。密集區(qū)域的高反應總量使副產物更容易聚集。在圖案化硅實驗中，緊密圖案化區(qū)域中的厚蝕刻副產物導致比稀疏圖案化區(qū)域更淺的深度。這種深度差異在 TMAH 掩埋工藝之后變得更加明顯，甚至可能阻止正常形狀的 sigma 型硅溝槽的形成。

隨著半導體規(guī)模接近其物理極限，新材料、新器件結構和新工藝不斷被引入集成電路制造工藝中，以延續(xù)摩爾定律并使器件尺寸更小......隨著高介電常數(shù)材料、鍺硅載流子傳輸增強材料、金屬柵極材料、SiCoNiTM預清洗工藝、分子束外延生長工藝等，等離子清洗機中氣體材料的種類和數(shù)量不斷變化。并增加。一般來說，等離子清洗機的氣體材料根據(jù)數(shù)量、制造過程的難易程度和安全性，分為通用氣體和特殊氣體兩種。

外延片除膠

加入氧氣后，外延片除膠機器鍺及其合金的選擇性最高可調節(jié)至434。這一點很重要，因為鍺多層結構一般是外延產生的，而期間的感應層和中間層結構一般都是鍺合金材料。我們知道CF4也是一種高反應性的化學蝕刻氣體。由于這種效應，當向 CF4 添加氧時，蝕刻選擇性很高。這是因為氧與底層材料 (Sn) 反應以促進表面保護膜的形成，從而防止進一步蝕刻并提高選擇性。