C2H4和CH4收率隨著等離子注入量的增加呈小幅上升趨勢，CCP刻蝕設備反應臺可能與C2H4和CH4是該反應的主要反應產物，C2H2更穩(wěn)定、有性有關。表3-1 CC和CH化學鍵的部分解離能化學鍵解離能/(kJ/mol)解離能/(eV/mol) CH3-CH3367.83.8C2H5-H409.64.2CH2 = CH2681.37.1C2H3-H434。

根據高（3-26）能電子的能量，CCP刻蝕設備反應臺碰撞導致乙烷分子的動能或內能增加，后者裂解乙烷的 CH 和 CO 鍵以產生各種自由基。 C2H6+ e * → C2H5 + H + e (3-27) C2H6 + e * → 2CH3 + e (3-28) 表3-1中的化學鍵解離能數據顯示反應式（3-28）（CC鍵） . (Cut) 比方程 (3-27) (CH 鍵斷裂) 更容易。

當等離子體能量密度為860 kJ/mol時，CCP刻蝕設備原理C2H6的轉化率為23.2%，C2H4和C2H2的總收率為11.6%。在流動等離子體反應器中，一般認為當反應氣體的流量恒定時，系統(tǒng)中的高能電子密度及其平均能量主要由等離子體能量密度決定。等離子體功率增加，系統(tǒng)中高能電子密度及其平均能量增加，高能電子與C2H6分子之間的彈性和非彈性碰撞概率和傳遞能量增加，C2H6 CH和CC鍵會增加。

由于空氣污染和酸化，CCP刻蝕機器生態(tài)環(huán)境遭到破壞，大規(guī)模災害頻發(fā)，人類損失慘重。因此，選擇經濟可行的解決方案勢在必行。傳統(tǒng)的吸附、吸附、冷凝、燃燒等分解揮發(fā)性有機污染物（VOCs）的處理方法等低溫等離子技術在氣態(tài)污染物治理方面具有顯著優(yōu)勢。其基本原理是在電場的加速作用下產生高能電子。當電子的平均能量超過目標物質分子的化學鍵能時，分子鍵斷裂，達到去除的目的。氣態(tài)污染物。傳統(tǒng)意義上的等離子體是具有大量電離的中性氣體。

CCP刻蝕設備反應臺

缺點是所有聚合物都是易燃的并且在用火焰處理時具有低熔點。當有機物暴露在高溫火焰中時，高溫處理會導致變形、變色、表面粗糙、燃燒和產生有毒氣體。并且很難掌握加工技術。等離子處理是 3D 物體表面修飾的最佳解決方案。原理如圖1所示。當在電極上施加交流高頻和高壓時，兩個電極之間的空氣會產生氣體電弧放電以形成等離子體區(qū)域。等離子體在氣流的沖擊下到達被加工物體的表面，達到修飾3D表面的目的。

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與傳統(tǒng)平面晶體管相比，FinFET具有三維結構，極大地擴大了柵極的控制面積，顯著縮短了晶體管的柵極長度，降低了漏電流。渠道效應。英特爾于 2011 年推出商用 FINFET，采用 22NM 節(jié)點工藝。 2014年底，三星實現了14NM FINFET工藝的量產，為未來的移動通信設備提供快速、節(jié)能的處理器。緊隨其后的是臺積電，2015 年推出了增強型 16 NMF INFET +。

表面層去污、活化和涂層處理是很有前景的環(huán)保金屬表面改性處理技術。一、等離子處理設備的特點 1、環(huán)保技術：等離子離子處理設備的工作過程是氣氣相干反應不消耗水資源，不添加化學物質，不污染環(huán)境。 2、適用性廣：無論被加工物的種類如何，都能很好地加工復合材料、半導體材料、金屬氧化物和大部分高分子材料。 3、低溫：接近常溫，特別適用于高分子材料，比電暈法或火焰法儲存時間長，表面張力高。

CCP刻蝕設備原理

等離子體表面處理設備的一個重要機理是通過激發(fā)等離子體中的活性粒子來去除物體表面的污垢。等離子清洗機工藝的主要特點是能夠處理金屬、半導體材料、氧化性物質和大多數聚合物材料，CCP刻蝕設備原理如聚丙烯、聚酯、聚酰亞胺、PVC、環(huán)氧樹脂粘合劑甚至聚四氟乙烯?？赡艿?。隨著科學技術的飛速發(fā)展，等離子表面處理設備的作用也得到了廣泛的發(fā)展。海浪。計算機在電子行業(yè)的發(fā)展也非常迅速。

當工件表面的污染物吸收激光的能量時，CCP刻蝕設備反應臺它們被加熱，然后迅速汽化或膨脹，以克服污染物與基板表面之間的作用力。由于熱能的增加，污染物會振動并從基板表面脫落。圖1 激光清洗示意圖 整個激光清洗過程大致分為四個階段：激光氣化分解、激光剝離、污染物顆粒熱膨脹、基板表面振動和污染物剝落。當然，在應用激光清洗技術時，還應注意被清洗物體的激光清洗閾值，選擇合適的激光波長，以達到最佳的清洗效果。