當(dāng)電子（荷電1.6×10-19庫侖）通過電場中1伏的電位差時，粉體環(huán)氧附著力促進劑電子從電場中獲得的能量為W=1eV，1eV=1.6×10-19庫侖×1伏=1.6022×10-19焦耳，1eV對應(yīng)的溫度為11600K（開爾文溫度；開爾文）。等離子體主要通過粒子之間的碰撞相互傳遞能量，達到熱力學(xué)平衡，但各種粒子之間的碰撞概率不相等，因此傳遞能量也不相等。

當(dāng)?shù)入x子體能量密度為860kJ/mol時，環(huán)氧附著力促進劑4511C2H6的轉(zhuǎn)化率為23.2%，C2H4和C2H2的總收率為11.6%。一般認(rèn)為，流動等離子體反應(yīng)器中高能電子的密度和平均能量主要由反應(yīng)氣體流量一定時的等離子體能量密度決定。

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粉體環(huán)氧附著力促進劑

設(shè)電源內(nèi)阻抗即輸出阻抗為（a+jb）Ω，為滿足在負(fù)載上Z大的功率輸出，就需要負(fù)載阻抗和高頻發(fā)生器輸出阻抗“共軛匹配”。共軛匹配可以實現(xiàn)將總阻抗變成純電阻的，即此時負(fù)載阻抗Z必須為（a-jb)Ω。 一種典型的高頻匹配網(wǎng)絡(luò)如下圖所示。

等離子體狀態(tài)中存在下列物質(zhì)：處于高速運動狀態(tài)的電子；處于激活狀態(tài)的中性原子、分子、原子團（自由基）；離子化的原子、分子；未反應(yīng)的分子、原子等，但物質(zhì)在總體上仍保持電中性狀態(tài)。

氫氣做為活潑氣體,其等離子體具有很強的化學(xué)反應(yīng)活性,氫氣等離子體形成的過程如下:H2→H2+e(1.1)H2→2H(1.2)H2+e→H2+e(1.3)H2+e→H2+hv+e(1.4)H2+e→2H+e(1.5)H2+e-H+H++2e(1.6)式1.1表示氫氣分子在得到外界能量后變成氫氣陽離子,并放出自由電子的過程。

比起其他替代材料，III-V族化合物半導(dǎo)體沒有明顯的物理缺陷，而且與目前的硅芯片工藝相似，很多現(xiàn)有的等離子體蝕刻技術(shù)都可以應(yīng)用到新材料上，因此也被視為在5nm之后繼續(xù)取代硅的理想材料。

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