對材料的直接鍵合而言，硅等離子掃描衣服表面親水性的晶片表面在自發(fā)鍵合方面要優(yōu)于疏水性晶片表面。。碳化硅等離子表面處理碳化硅具有相對于其他高溫材料較低的平均熱膨脹系數(shù)、高熱導率以及耐超高溫等特點，因此在高頻、大功率、耐高溫、抗輻照的半導體器件及紫外探測器等應用方面具有廣闊的應用前景。SiC的鍵合是微加工工藝中非常重要的一個步驟，同時也是 MEMS制造領域的難題之一。
理想的多晶硅等離子表面處理裝置蝕刻后的輪廓是多晶硅上有硬掩模殘留物，硅等離子掃描衣服表面多晶硅輪廓非常垂直。外觀與硬掩模的臨界尺寸相同。橫向蝕刻發(fā)生在多晶硅蝕刻中。如果硬掩模的蝕刻選擇性和多晶硅的等離子表面處理器蝕刻工藝不同，多晶硅上部的極限尺寸將與硬掩模的極限尺寸不同。例如，如果多晶硅限制大于硬掩模限制，則偏移間隔將在后續(xù) MIMO 硅凹槽 (PSR) PSR 蝕刻中消耗更多。
對于材料的直接鍵合，硅等離子體蝕刻中的表面粗糙度親水晶片表面優(yōu)于自發(fā)鍵合的疏水晶片表面。。碳化硅等離子表面處理碳化硅具有比其他高溫材料更低的平均熱膨脹系數(shù)、更高的熱導率和耐超高溫性，因此具有高頻、高輸出、耐高溫、耐輻射等特點。導電裝置和紫外檢測。器件等應用領域有著廣泛的應用前景。 SiC鍵合是微加工工藝中非常重要的一步，是MEMS制造領域的難題之一。
由于其惰性和生物相容性，硅等離子體蝕刻中的表面粗糙度PTFE 是制造體內(nèi)醫(yī)療器械的理想材料。然而，這些特性也是處理 PTFE 時的缺點，例如需要粘附到合成支架上以促進體內(nèi)裝置中的組織生長。還原等離子體可以通過降低整個表面上的氟濃度來用羥基等官能團代替氟。來解決這些問題。表面羥基可以提供錨點來支持這些合成支架。一些應用需要侵蝕主體材料。 NF3、SF6、CF4 和其他含氟氣...
