介電層的蝕刻是通過化學(xué)和物理的聯(lián)合作用來實現(xiàn)的。等離子刻蝕原理刻蝕是微電子集成電路制造工藝和微納制造工藝中非常重要的一步，等離子刻蝕原理作為一種重要的晶圓制造工藝，一般在光刻膠涂布和光刻顯影之后。通過物理濺射和化學(xué)作用消除，目的是形成與光刻膠圖案相同的電路圖案。等離子刻蝕是干法刻蝕的主流，由于其優(yōu)良的刻蝕速率和優(yōu)良的方向性，正在逐漸取代濕法刻蝕。

大氣等離子噴涂工藝控制涂層制備的難點在于工藝中需要控制的因素很多，等離子刻蝕原理往往相互影響。液滴物理和化學(xué)狀態(tài)的高溫、高速和廣泛分布的特點也對實時觀察和過程控制提出了重大挑戰(zhàn)。在大氣等離子體霧化過程中單層的形成主要由液滴的冷卻能力控制。如果液滴冷卻速度快，則液料的流動性迅速下降，容易形成圓盤狀的單片層，否則更容易飛濺。

由于等離子體的作用，離子刻蝕原理在塑料表面產(chǎn)生了一些活性原子、自由基和不飽和鍵，難以粘附，這些活性基團(tuán)相互接觸。與等離子體中的活性粒子一起，它產(chǎn)生了新的活性基團(tuán)。然而，由于含有活性基團(tuán)的物質(zhì)通過氧或分子鏈移動，所以表面活性劑消失了。等離子對材料表面進(jìn)行改性時，表面活性粒子對表面分子的作用使表面分子鏈斷裂，產(chǎn)生自由基、雙鍵等新的活性基團(tuán)，從而產(chǎn)生表面交聯(lián)。...鏈接和嫁接。等待反應(yīng)。

產(chǎn)生高能電暈場。內(nèi)置傳感器會自動告訴系統(tǒng)何時打開和關(guān)閉它。過程控制界面提供了統(tǒng)一、可靠和可重復(fù)的表面處理。目前，等離子刻蝕原理正在開發(fā)兩種類型的等離子處理系統(tǒng)，即大氣壓和真空，以處理寬達(dá) 2 米的厚材料。線性等離子系統(tǒng)可配置用于無電位處理，以避免損壞精密基板和嵌入式電路。為電暈和大氣等離子表面處理系統(tǒng)提供更先進(jìn)的技術(shù)，為客戶提供實用、經(jīng)濟(jì)的高（效率）粘合、印刷和涂層應(yīng)用。

離子刻蝕原理

繼續(xù)上面的例子，過孔電感可以計算如下： L = 5.08X0.050 [LN (4X0.050 / 0.010) +1] = 1.015 若NH信號上升時間為1NS，其等效阻抗為： XL = πL / T10-90 = 3.19Ω 當(dāng)高頻電流流過時，這種阻抗不容忽視。連接電源時，請記住旁路電容必須穿過兩個過孔。層和形成。這增加了通孔的寄生電感。

等離子射流的溫度范圍約為 3700 至 25000 開爾文（取決于工作氣體類型和功率等因素），射流速度范圍為 1 至 10 m/s。高頻感應(yīng)等離子發(fā)生器和EMSP；也稱為高頻等離子炬或高頻等離子炬。無極電感耦合用于將高頻電源的能量輸入到連續(xù)氣流中進(jìn)行高頻放電。高頻等離子發(fā)生器及其應(yīng)用工藝具有以下新特點： (1) 由于只在線圈中沒有電極，所以不存在電極損耗的問題。

在工業(yè)上制備金屬氧化物、氮化物、碳化物或熔煉金屬時，氣相反應(yīng)就足夠了，因為反應(yīng)物在熱區(qū)中停留的時間較長。高頻等離子體取決于電源如何與等離子體耦合火炬可分為電感耦合型（圖 4A）、電容耦合型（圖 4B）、微波耦合型（圖 4C）和火焰型（圖 4D）。高頻等離子炬由高頻電源、放電室、等離子工作氣體供應(yīng)系統(tǒng)三部分組成。

噴槍噴嘴（陽極）和電極（陰極）分別與電源的正負(fù)極相連，工作氣體在噴嘴和電極之間通過。 , 并借助高頻火花點燃電弧。電弧加熱氣體并將其電離以產(chǎn)生等離子弧，該等離子弧熱膨脹并從噴嘴發(fā)射高速等離子射流。送粉氣體將粉末從噴嘴送入等離子射流（內(nèi)部送粉）或加熱到外部（外部送粉），熔融或半熔化狀態(tài)，由等離子射流加速并以特定速率噴射。 ..在預(yù)處理的基材表面上形成涂層。

電感耦合等離子刻蝕原理

在陽極（噴嘴）和陰極（電極）之間產(chǎn)生高頻電弧，電感耦合等離子刻蝕原理在它們之間流動的工藝氣體（通常是氬、氮、氫和氦的混合物）被電離成一股高溫等離子體氣體。太陽表面的溫度高于 6,600°C 至 16,600°C（12,000°F 至 30,000°F）。在將涂層材料注入到氣體羽流中之后，材料被熔化并朝著目標(biāo)基材發(fā)射。工藝氣體與施加在電極上的電流結(jié)合使用，控制工藝產(chǎn)生的能量。

由于每種氣體和電流的精確調(diào)整，電感耦合等離子刻蝕原理涂層的結(jié)果是可重復(fù)和可預(yù)測的。同時，您可以控制材料噴射到羽流中的位置和角度，以及噴槍到目標(biāo)的距離，讓您高度靈活地生成合適的材料噴射參數(shù)并增加熔化溫度。范圍。等離子噴槍與目標(biāo)組件之間的距離、噴槍與組件之間的相對速度以及組件的冷卻（通常借助聚焦在目標(biāo)基板上的空氣射流），組件通常為 38 °C。控制在 260 °C（100 °F 至 500 °F）之間。