因此，靜電消除器和電暈機區(qū)別這類電暈有兩種常見結構，均適用于低長寬比的放電系統(tǒng)。常見的結構之一是螺旋結構，采用圓柱形螺旋線圈式，如下圖所示。另一種常見的結構是盤卷結構，采用如下圖所示的平面盤卷式。此外，還有一種特殊的盤狀結構，就是在與機體隔離的放電式中加入一個盤繞的線圈，其結構如下圖所示。。

第一個方程表示氧分子獲得外部能量后變成氧陽離子，靜電消除器電暈機廠家發(fā)射自由電子的過程。第二個方程表示氧分子獲得外部能量后分解形成兩個氧原子自由基的過程。第三個方程表明氧分子在高能激發(fā)自由電子的作用下轉變?yōu)榧ぐl(fā)態(tài)。第四和第五反應表明激發(fā)的氧分子發(fā)生了進一步的轉變。在第四個反應中，氧氣使大腦饑餓以恢復正常狀態(tài)，并發(fā)射光能（紫外線）。在第五個方程中，激發(fā)態(tài)的氧分子分解成兩個氧原子自由基。

在電暈機技術下，靜電消除器和電暈機區(qū)別氣體發(fā)射的分解對高能電子起著決定性的作用。數(shù)以萬計的高能電子與氣體分子（原子）發(fā)生非彈性碰撞，將能量轉化為分子（原子）的內能，發(fā)生激發(fā)、電離度、電離等更多環(huán)節(jié)，使氣體處于活躍狀態(tài)。在低勢能(<10eV)的情況下，電子中會發(fā)生活性自由基，在體內（化學）后，發(fā)射分子會被電暈機定向鏈化學反應去除。勢能大于發(fā)射物分子化學鍵的結合能，將導致分子鍵斷裂，發(fā)射物分解。

一般情況下，靜電消除器和電暈機區(qū)別物質以固態(tài)、商態(tài)和氣態(tài)三種情況存在，但在某些特殊情況下，可以以第四種情況存在，如太陽表面的物質、地球大氣層電離層的物質等。這類物質所處的情況稱為電暈情況，也稱為潛在物質的第四態(tài)。以下物質存在于電暈中。高速運動的電子；處于活性狀態(tài)的中性原子、分子和原子團（自由基）；電離原子和分子；分子解離反應過程中產生的紫外線；未反應的分子、原子等，但物質在一般情況下仍堅持電中性。

靜電消除器和電暈機區(qū)別

40kHz的自偏壓約為0V，13.56MHz的自偏壓約為250V，20MHz的自偏壓更低，這三種激發(fā)頻率的機理不同，40kHz的反應是物理反應，13.56MHz的反應既有物理反應也有化學反應，20MHz有物理反應，但主要反應是化學反應，如果材料需要活化改性，要用13.56MHz或20MHz電暈清洗，40kHz的自偏壓約為0V。13.56MHz的自偏壓約為250V，20MHz的自偏壓較低。

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