驅(qū)動(dòng)芯片可以是一個(gè)問題 明年限制面板交付的一個(gè)重要原因 蔡華博在2021年智能汽車增長(zhǎng)加速的情況下對(duì)存儲(chǔ)設(shè)備的需求 我們預(yù)計(jì)會(huì)激增 屆時(shí)NOR閃存、NAND閃存和DRAM可能都會(huì)新和達(dá)總裁黃健認(rèn)為，芯片蝕刻機(jī)巨頭逆襲,3nm芯片技術(shù)取得突破長(zhǎng)期來(lái)看，被動(dòng)器件的短缺仍將持續(xù)，這主要是由于智能汽車普及帶來(lái)的被動(dòng)器件需求激增。

從2021年一季度開始新能源汽車上市，芯片蝕刻被動(dòng)元件需求有望暴增，被動(dòng)元件緊缺將是一個(gè)長(zhǎng)期的局面，林永宇認(rèn)為，后期28nm以上制程主芯片短缺將逐步緩解“最近，上游晶圓廠，我們和封測(cè)廠，以及一些新能源廠商的接觸比較頻繁。大家普遍認(rèn)為，一些導(dǎo)致我們目前供應(yīng)鏈緊張的因素，明年可能會(huì)消失。比如，到明年下半年，疫情將成為即使沒有完全消失也可以控制的新常態(tài)，同時(shí)，經(jīng)過(guò)一年或更長(zhǎng)時(shí)間的消化，對(duì)“家庭經(jīng)濟(jì)”的需求會(huì)減弱。

因此，芯片蝕刻雖然28納米以上的中高端制程芯片供應(yīng)相對(duì)溫和，但40納米以下制程的功率和模擬器件的產(chǎn)能依然吃緊，主要是受強(qiáng)勁因素的影響。新能源汽車的需求。 “自主可控”是否強(qiáng)化了芯片創(chuàng)業(yè)的趨勢(shì)？今年上半年以來(lái)，電視、路由器、游戲機(jī)、個(gè)人電腦、數(shù)據(jù)中心等時(shí)尚相關(guān)領(lǐng)域的需求呈現(xiàn)明顯增長(zhǎng)趨勢(shì)。以電視銷售為例，從今年年初到現(xiàn)在，電視一直產(chǎn)銷強(qiáng)勁，“宅經(jīng)濟(jì)”拉動(dòng)芯片需求。

林永宇表示，芯片蝕刻疫情不僅改變了市場(chǎng)需求，也改變了全球供應(yīng)和交付方式。今年下半年以來(lái)，由于國(guó)內(nèi)疫情防控得力，國(guó)內(nèi)替代趨勢(shì)空前，不少芯片設(shè)計(jì)公司新入駐中國(guó)。由于我們海外工廠產(chǎn)能不足和成本上升，供給端逐漸向中國(guó)轉(zhuǎn)移，中國(guó)制造的半導(dǎo)體芯片比例進(jìn)一步提高。在需求持續(xù)增長(zhǎng)和供給向中國(guó)轉(zhuǎn)移的背景下，很多人看到了產(chǎn)業(yè)發(fā)展帶來(lái)的新機(jī)遇。受此影響，今年以來(lái)，中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)的新創(chuàng)企業(yè)數(shù)量猛增。

芯片蝕刻機(jī)巨頭逆襲,3nm芯片技術(shù)取得突破

以芯片設(shè)計(jì)公司為例，近期統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，截至2020年底，我國(guó)芯片設(shè)計(jì)公司超過(guò)1萬(wàn)家，2020年前8個(gè)月芯片設(shè)計(jì)公司達(dá)到1萬(wàn)家。 9,335 家公司已轉(zhuǎn)向尖端行業(yè)。市場(chǎng)預(yù)計(jì)未來(lái)五年中國(guó)半導(dǎo)體投資總額將達(dá)到9.5萬(wàn)億元。資本市場(chǎng)再次活躍起來(lái)。 2020年上半年，中國(guó)境內(nèi)股權(quán)投資5467筆，同比減少17.1%，募集資金701.92億元，同比減少19.2%。 %。 %，融資難的市場(chǎng)困境依然存在。

這說(shuō)明我國(guó)投資市場(chǎng)的熱點(diǎn)正在從虛擬經(jīng)濟(jì)轉(zhuǎn)向?qū)嶓w經(jīng)濟(jì)。半導(dǎo)體創(chuàng)業(yè)精神如此炙手可熱，這股熱潮席卷了半導(dǎo)體供應(yīng)鏈。有什么影響？蔡華波表示，目前芯片設(shè)計(jì)創(chuàng)業(yè)熱情高漲，主要受資本和本土化因素驅(qū)動(dòng)。未來(lái)，資本將更青睞行業(yè)領(lǐng)先的公司。如果創(chuàng)業(yè)公司無(wú)法進(jìn)入前三名，未來(lái)它們可能會(huì)合并或消失。這一趨勢(shì)可能會(huì)在明年初出現(xiàn)。林英奎強(qiáng)調(diào)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是資金密集型、技術(shù)密集型，需要多環(huán)節(jié)、多要素的配合來(lái)增加新產(chǎn)能，而且是長(zhǎng)期的。

等離子專用清洗工藝主要是基于等離子濺射和蝕刻所帶來(lái)的物理和化學(xué)變化。在物理濺射過(guò)程中，等離子體中高能離子的脈沖表面撞擊會(huì)導(dǎo)致表面原子的位移，在某些情況下，會(huì)導(dǎo)致表面下原子的位移，因此物理濺射不是選擇性的。在化學(xué)蝕刻過(guò)程中，等離子體中的反應(yīng)基團(tuán)可以與表面原子和分子發(fā)生反應(yīng)，并抽出產(chǎn)生的揮發(fā)物。

該電源產(chǎn)生高等離子體密度、軟能量和低溫。功率通常為1-2KW。幾百瓦的很多是N2電源，另外一個(gè)是40KHz的中頻電源，跟射頻電源正好相反。等離子體的密度不高，但強(qiáng)度高、能量高、高度高。 ，而且功率也很高。大功率可以達(dá)到幾十千瓦，理論上幾百千瓦。常用于除渣和蝕刻。如果真空等離子設(shè)備使用中頻電源，則需要加裝。水冷。也是等離子設(shè)備常用的電源。高頻等離子設(shè)備的溫度與正常室溫相同。

芯片蝕刻

由于等離子清洗工藝不使用化學(xué)溶劑，芯片蝕刻基本不含污染物，有利于環(huán)境保護(hù)。此外，制造成本低，清洗均勻性、再現(xiàn)性、可控性好，易于量產(chǎn)。等離子體，物質(zhì)的第四態(tài)，是一種電離的氣態(tài)物質(zhì)，由被剝奪了部分電子的原子和原子電離后產(chǎn)生的正負(fù)電子組成。這種電離氣體由原子、分子、原子團(tuán)、離子和電子組成。它對(duì)物體表面的作用可以實(shí)現(xiàn)物體的清洗和清洗、物體表面的活化（化學(xué)）、蝕刻、精加工和等離子表面涂層。

未來(lái)幾年，芯片蝕刻機(jī)巨頭逆襲,3nm芯片技術(shù)取得突破達(dá)摩院將在氮化鎵、碳化硅等第三代半導(dǎo)體材料、5G基站和新能源的材料生長(zhǎng)和器件制備等技術(shù)上取得突破，我認(rèn)為它適用于汽車和特高壓.數(shù)據(jù)中心等新的基礎(chǔ)設(shè)施場(chǎng)景可以顯著降低整體能耗。新材料的價(jià)值不僅僅是提供更好的性能。它還可以打破傳統(tǒng)材料的物理限制。達(dá)摩院預(yù)測(cè)，作為制造柔性器件核心材料的碳基材料將走出實(shí)驗(yàn)室。