線和空隙均為20&mu，CCP清洗設(shè)備用M的圖形來測(cè)試蝕刻效果。本文中使用的石墨烯厚度為50nm，生長(zhǎng)在二氧化硅上。蝕刻條件:70sccm的氧氣和30sccm的氬氣混合氣體，偏壓150W，壓力55mt，利用光敏電阻通過兩次自旋涂布20M厚的AZ4620圖形獲得。石墨烯的刻蝕速率約為nm / min，而AZ4620的光刻膠刻蝕速率為330nm / min，這也需要較厚的光刻膠或使用3層掩模結(jié)構(gòu)。
早期采用CCl2F2氣體進(jìn)行刻蝕，CCP清潔機(jī)但由于選擇比和等離子體對(duì)底層膜的損傷，開發(fā)了兩種氣體等離子體組合刻蝕方案:CHF3+BCl3和CF4+BCl3。實(shí)際上，這兩種方案都實(shí)現(xiàn)了更快的刻蝕速率和對(duì)InAlAs的高選擇比，并且更容易在低壓和高射頻功率下實(shí)現(xiàn)。兩種相似材料的不同腐蝕速率是由于反應(yīng)產(chǎn)物的揮發(fā)性不同造成的。GaCl3和AsCl3均較易揮發(fā)，而AlCl3較難揮發(fā)，會(huì)影響進(jìn)一步蝕刻。
Radu團(tuán)隊(duì)根據(jù)ICCD在10ns曝光下拍攝的放電圖像，CCP清潔機(jī)發(fā)現(xiàn)在大氣壓下惰性氣體He、Ne、Ar、氪的DBD間隙中可以實(shí)現(xiàn)輝光放電。除了輝光放電和絲狀放電外，在輝光放電和絲狀放電之間還有第三種放電方式，即柱狀放電。上世紀(jì)末以來，國(guó)內(nèi)電暈實(shí)驗(yàn)室、清華大學(xué)、大連理工大學(xué)、華北電力大學(xué)、西安交通大學(xué)、華中科技大學(xué)、中國(guó)科學(xué)院物理研究所、河北師范大學(xué)等已經(jīng)開始學(xué)習(xí)APGD。
在線等離子清洗設(shè)備是在獨(dú)立的基礎(chǔ)上，CCP清洗設(shè)備以滿足表面處理均勻性、一致性較高的質(zhì)量要求，提高自動(dòng)化程度，減少人工參與等需求而設(shè)計(jì)的。根據(jù)等離子體產(chǎn)生的激勵(lì)方式可分為:電容耦合即CCP，電感耦合即ICP，電子回旋共振即ECR等
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