在常規(guī)催化條件下，改笨料注塑?chē)娪透街Φ虲H4與CO2氧化制C2烴的反應(yīng)中，負(fù)載型Na2WO4催化劑在820℃時(shí)C2烴的選擇性高達(dá)94.5%，但甲烷轉(zhuǎn)化率較低（4.73%）。結(jié)果表明，Na2WO4/Y-Al203在等離子體條件下仍具有較高的C2烴選擇性，在等離子體注入功率為30W時(shí)，C2烴選擇性為72%。
上述實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，改笨料注塑?chē)娪透街Φ拖⊥裂趸锎呋瘎┯欣谔岣逤2H6的轉(zhuǎn)化率以及C2H4和C2H2的收率，Pd/Y-Al2O3有利于C2H2的生產(chǎn)。
典型的反應(yīng)包括異構(gòu)化、原子或小基團(tuán)的消除（去除）、二聚/聚合和破壞原始物質(zhì)等，改笨料注塑?chē)娪透街Φ腿缂淄?、水、氮?dú)夂脱鯕饣旌陷x光放電，得到生命的起源物質(zhì)&MDASH；&mdash；氨基酸。等離子體清洗機(jī)中存在順?lè)串悩?gòu)化、成環(huán)或開(kāi)環(huán)反應(yīng)。除了單分子反應(yīng)外，還可以產(chǎn)生雙分子反應(yīng)。采用等離子體清洗機(jī)技術(shù)對(duì)傳統(tǒng)浸漬法制備的Ni/SrTiO3催化劑進(jìn)行了改進(jìn)。
現(xiàn)階段普遍采取的物理學(xué)清洗方式，改笨料注塑?chē)娪透街Φ痛蟾趴梢苑殖?種：濕法清洗和plasma設(shè)備干法清洗?，F(xiàn)階段，濕洗仍占微電子清洗工藝的主導(dǎo)地位。但從對(duì)環(huán)境的影響、原始資料的消耗以及今后的發(fā)展情況來(lái)看，干洗要明顯優(yōu)于濕洗。干式清洗發(fā)展較快，優(yōu)點(diǎn)明顯，plasma設(shè)備清洗已逐步在半導(dǎo)體制造、微電子封裝、精密機(jī)械等行業(yè)開(kāi)始廣泛應(yīng)用。
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2.短時(shí)間內(nèi)可完成等離子體處理器全流程3.等離子處理器簡(jiǎn)單，易于操作和維護(hù)。它用少量氣體代替了昂貴的清洗液，而且不能同時(shí)處理廢液。4.等離子處理器可以深入微孔和凹陷完成清潔工作。5.等離子體處理能保證大多數(shù)固體物質(zhì)的處理，因此其應(yīng)用范圍是相當(dāng)常見(jiàn)的。。
這些定位器壁外表面上的空間正電荷層或“護(hù)套”的尺寸通常小于 1 厘米。鞘層是由電子和離子遷移率的差異引起的。等離子體中的電勢(shì)擴(kuò)散傾向于發(fā)射光束它結(jié)合電子并將陽(yáng)離子推入鞘中。這是因?yàn)殡娮邮紫任諄?lái)自電源的能量，然后加熱到數(shù)萬(wàn)度，而重粒子實(shí)際上處于室溫。由于低壓等離子體的這種非熱力學(xué)平衡特性，它具有重要的工業(yè)應(yīng)用。
等離子體引入工藝是這些工藝中的一項(xiàng)創(chuàng)新。等離子表面處理技術(shù)不僅達(dá)到了高清潔度的清洗要求，而且處理過(guò)程是一個(gè)完整的無(wú)電位過(guò)程。換言之，在等離子處理過(guò)程中，電路板上沒(méi)有形成電位差。釋放。引線鍵合工藝可以使用等離子技術(shù)非常有效地預(yù)處理敏感和易碎的組件，例如硅晶片、液晶顯示器和集成電路 (IC)。。等離子體，物質(zhì)的第四態(tài)，是一種電離的氣態(tài)物質(zhì)，由被剝奪了部分電子的原子和原子電離后產(chǎn)生的正負(fù)電子組成。
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