官能團(tuán)的引入：用N2、NH3、O2、SO2等氣體對(duì)高分子材料進(jìn)行等離子體處理，氧等離子體處理氧化硅片改變了表面的化學(xué)成分，對(duì)應(yīng)新的官能團(tuán)（-NH2、-OH、-COOH、-SO3H等）會(huì)介紹。這些官能團(tuán)可以制造聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚四氟乙烯等完全惰性的基材可作為功能性基材，提高表面極性、潤(rùn)濕性、結(jié)合性、反應(yīng)性，顯著提高其使用價(jià)值。與氧等離子體不同，含氟氣體的低溫等離子體處理可以將氟原子引入基板表面，使基板具有疏水性。

2、等離子清洗透光率高，氧等離子體刻蝕piETFE膜透光率可達(dá)90%以上。 3、等離子清洗環(huán)?？苫厥眨珽TFE膜可回收再利用，生產(chǎn)其他ETFE產(chǎn)品。等離子表面處理對(duì)ITO薄膜的影響 等離子表面處理對(duì)ITO薄膜的影響是通過(guò)ITO薄膜的顯微表面跟蹤和核顯微鏡對(duì)微觀區(qū)域電學(xué)特性的檢測(cè)，氧等離子處理的效果是ITO . 我研究了薄膜的表面跟蹤和導(dǎo)電功能。上面已經(jīng)解釋了氧等離子體處理對(duì)ITO膜的影響。

由于能級(jí)接近，氧等離子體處理氧化硅片等離子體暴露的導(dǎo)管材料分子的化學(xué)鍵容易斷裂或基質(zhì)的作用，或新的化學(xué)鍵形成、交聯(lián)，或自由基形成化學(xué)腐蝕；尚不清楚；SEM分析物理濺射效應(yīng)的結(jié)果是清楚的；測(cè)量結(jié)果的接觸角變化表明物理濺射和化學(xué)蝕刻同時(shí)工作，因此導(dǎo)管表面在初始階段進(jìn)行氧等離子體處理可以推斷物理濺射的作用占主導(dǎo)地位。表面氧氣等離子處理導(dǎo)管的表面蝕刻使表面光滑和親水。通過(guò)氧等離子體處理形成的表面膜改變了化學(xué)結(jié)構(gòu)。

將直徑為 400 μm 的 PET 纖維和玻璃纖維（~14 μm）暴露于處理能力為 100 W、總壓力為 110 Pa、流量為 17 sccm O2 的低壓氧等離子體中 8 分鐘. ..在用等離子清潔器對(duì)材料表面進(jìn)行等離子活化后，氧等離子體刻蝕pi使用直接水平光學(xué)測(cè)量浸入蒸餾水中的纖維表面的接觸角。

氧等離子體處理氧化硅片

目前的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)要求清洗后的接觸角測(cè)量角小于20°。顯示/AMOLED屏幕需要在制造過(guò)程的層壓和粘合過(guò)程之前進(jìn)行清潔和修改。在液晶玻璃等離子清洗中，用于去除玻璃上的金屬顆粒等污染物的活性氣體是氧等離子體，可以在不污染油性污漬或有機(jī)污染物的情況下高效去除。 ITO玻璃/手機(jī)玻璃后蓋：在制造清洗過(guò)程中，需要在舊工藝中引入各種清洗劑（酒精清洗、棉簽+檸檬水清洗、超聲波清洗），污染復(fù)雜。

例：O2+E-→2O*+E-O*+有機(jī)物->CO2+H2O 從反應(yīng)式可以看出，氧等離子體可以通過(guò)化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)生氧等離子體。非揮發(fā)性有機(jī)物變成揮發(fā)性的 H2O 和 CO2。例：從H2+E-→2H*+EH*+非揮發(fā)性金屬氧化物→金屬+H2O反應(yīng)式可以看出，氫等離子體可以去除金屬表面的氧化層，清潔金屬表面。 .化學(xué)反應(yīng)。物理清洗：表面反應(yīng)以物理反應(yīng)為主的等離子清洗。也稱為濺射蝕刻 (SPE)。

等離子體可用于對(duì)聚四氟乙烯、PE電池隔膜、硅橡膠和聚酯等高分子材料進(jìn)行表面改性。 -等離子清洗機(jī)的操作條件對(duì)提高PITFE材料的表面親水性有顯著影響。經(jīng)過(guò)等離子體處理后，材料表面出現(xiàn)大量極性基團(tuán)，進(jìn)一步提高了材料的親水性。。

比較典型的德國(guó)等離子清洗機(jī)品牌有DIENER、PLASMATREAT、PVA TEPLA和PINK。談到設(shè)備質(zhì)量，德國(guó)等離子清洗機(jī)可靠耐用，半導(dǎo)體、精密電子和汽車制造都是重要的應(yīng)用領(lǐng)域。德國(guó)等離子清洗設(shè)備目前的市場(chǎng)定位是物美價(jià)廉，在中國(guó)基本沒(méi)有合資，所以產(chǎn)品基本都是進(jìn)口的。幾乎所有產(chǎn)品都以經(jīng)銷商或分公司的形式銷售，交貨時(shí)間和售后服務(wù)響應(yīng)時(shí)間都比較長(zhǎng)。

氧等離子體刻蝕pi

例如，氧等離子體刻蝕pi法律規(guī)定： & LDQUO; 在將一種新的合成材料移植到人體之前，必須進(jìn)行長(zhǎng)期試驗(yàn)和臨床試驗(yàn)等程序& RDQUO;，這需要法律程序。 PII 該技術(shù)已成功應(yīng)用于非金屬材料的離子注入。使用傳統(tǒng)的離子注入使非金屬材料更容易帶電。靜電排斥材料表面的離子。因此，當(dāng)在等離子體環(huán)境中進(jìn)行 PII 處理時(shí)，等離子體中的電子會(huì)自動(dòng)中和。等離子注射可以提高材料的生物相容性。等離子注射可以提高材料的生物相容性。

目前，氧等離子體刻蝕pi集成電路生產(chǎn)主要以8英寸和12英寸硅片為主。 12 英寸硅片的芯片線寬主要為 45NM 到 7NM。 12英寸硅片的市場(chǎng)份額正在增加。從 2009 年的 50% 到 2015 年的 78%。 %，預(yù)計(jì) 2020 年將超過(guò) 84%。蝕刻 12 英寸硅晶片所需的單晶硅材料的尺寸通常超過(guò) 14 英寸。該公司目前占14英寸產(chǎn)品收入的90%以上。也就是說(shuō)，硅片越大，技術(shù)難度越大，對(duì)制造工藝的要求也越高。