等離子體與晶片表面的二氧化硅層表面相互作用后，晶圓等離子體去膠設(shè)備活性原子和高能電子破壞并移動(dòng)原有的硅氧鍵結(jié)構(gòu)。由于變成非橋鍵，表面被活化（活化），與活性原子的電子鍵能向高能方向移動(dòng)，表面存在大量懸空鍵，產(chǎn)生這些懸空鍵. 增加。鍵以 OH 基團(tuán)的形式結(jié)合。它的存在是為了形成一個(gè)穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)。在有機(jī)或無(wú)機(jī)堿中浸泡并在特定溫度下退火后，表面的Si-OH鍵脫水聚合形成硅-氧鍵。這提高了晶片表面的親水性并進(jìn)一步促進(jìn)了它。晶圓鍵合。

轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。。等離子表面處理器臺(tái)階高度對(duì)多晶硅柵極蝕刻的影響 等離子體表面處理器臺(tái)階高度對(duì)多晶硅柵極蝕刻的影響：地形對(duì)多晶硅柵極尺寸也有顯著影響。 （淺溝槽隔離的臺(tái)階高度表征了多晶硅生長(zhǎng)前的晶圓表面形貌。由于爐多晶硅的平面生長(zhǎng)，晶圓等離子體去膠機(jī)器正臺(tái)階高度（淺溝槽隔離氧化硅的頂面活性區(qū)）變厚多晶硅靠近淺溝槽隔離區(qū)，影響多晶硅柵極的側(cè)壁角。

這是金納米顆粒與晶片的光催化劑接觸的結(jié)果，晶圓等離子體去膠設(shè)備并且被認(rèn)為是真空等離子體裝置中光催化劑的獨(dú)特特征。金屬-晶圓界面之間產(chǎn)生內(nèi)部電場(chǎng)，在肖特基勢(shì)壘內(nèi)或附近產(chǎn)生的電子和空穴在電場(chǎng)的作用下沿不同方向移動(dòng)。此外，金屬部分為電荷轉(zhuǎn)移提供了通道，其表面充當(dāng)了電荷收集光化學(xué)中心，增強(qiáng)了可見(jiàn)光的吸收。肖特基結(jié)和快速電荷轉(zhuǎn)移通道可以有效抑制電子-空穴復(fù)合。與肖特基效應(yīng)相比，由表面等離子體振蕩增強(qiáng)的一些光催化效應(yīng)更為明顯。

1.2 有機(jī)物 有機(jī)雜質(zhì)有多種來(lái)源，晶圓等離子體去膠包括人體皮膚油、細(xì)菌、機(jī)油、真空油脂、照片和清潔溶劑。此類(lèi)污染物一般會(huì)在晶圓表面形成有機(jī)薄膜，阻止清洗液到達(dá)晶圓表面，導(dǎo)致晶圓表面清洗不徹底，金屬雜質(zhì)等污染物在清洗后仍完好無(wú)損地保留在晶圓表面。 這些污染物的去除通常在清潔過(guò)程的第一步中進(jìn)行，主要使用諸如硫酸和過(guò)氧化氫之類(lèi)的方法。 1.3 金屬半導(dǎo)體工藝中常見(jiàn)的金屬雜質(zhì)包括鐵、銅、鋁、鉻、鎢、鈦、鈉、鉀和鋰。

晶圓等離子體去膠機(jī)器

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，其重要性和挑戰(zhàn)也越來(lái)越突出。低溫等離子蝕刻的一個(gè)顯著特點(diǎn)是它具有非常大的空間和時(shí)間尺度跨度，并且需要在直徑為 300 MM 的圓上進(jìn)行埃 (& ARING;) 微處理操作。時(shí)間尺度也從納秒級(jí)的電子響應(yīng)時(shí)間到蝕刻整個(gè)晶圓所需的宏觀分鐘級(jí)。這種時(shí)間和空間跨度很好地反映了等離子清潔器 VLSI 制造和等離子蝕刻技術(shù)所面臨的挑戰(zhàn)。

等離子清洗機(jī)支持直徑從 75MM 到 300MM 的圓形或方形晶圓/板尺寸的自動(dòng)化處理和處理。此外，它可能存在也可能不存在，這取決于晶片的厚度。承載板的處理。等離子室設(shè)計(jì)提供了出色的蝕刻均勻性和工藝再現(xiàn)性。主要等離子表面處理技術(shù)的應(yīng)用包括各種蝕刻、灰化和除塵工藝。其他等離子工藝包括去污、表面粗糙化、水分增強(qiáng)、粘合劑和粘合強(qiáng)度增強(qiáng)、光刻膠/聚合物剝離、介電蝕刻、晶圓凸塊、有機(jī)去污和晶圓釋放。

在接觸孔被蝕刻后，邊緣區(qū)域的氧化硅膜在金屬填充過(guò)程中脫落，并落到晶片表面。這直接導(dǎo)致化學(xué)機(jī)械拋光后接觸孔中的金屬損失。設(shè)備故障。在后期形成金屬互連的過(guò)程中，殘留在邊緣區(qū)域的金屬填料也會(huì)導(dǎo)致等離子體相關(guān)工藝中的放電（AR）。CING）問(wèn)題。它可能導(dǎo)致整個(gè)晶片的處置。因此，在器件制造過(guò)程中，需要控制邊緣區(qū)域，去除這些堆積在晶圓邊緣的薄膜可以減少制造過(guò)程中的缺陷并降低良率。有三種主要方法可以清潔晶圓的外邊緣和斜面。

這些雜質(zhì)的來(lái)源是各種器具、管道、化學(xué)試劑和半導(dǎo)體晶片。該工藝在形成金屬互連時(shí)也會(huì)導(dǎo)致各種金屬污染。通常通過(guò)化學(xué)方法去除這些雜質(zhì)。用各種試劑和化學(xué)品制備的清洗溶液與金屬離子反應(yīng)形成金屬離子絡(luò)合物，并從晶片表面分離。 4. 氧化物 當(dāng)半導(dǎo)體晶片暴露在含氧和水的環(huán)境中時(shí)，表面會(huì)形成自然氧化層。這種氧化膜不僅會(huì)干擾半導(dǎo)體制造中的許多步驟，而且它還含有某些金屬雜質(zhì)，在某些條件下會(huì)轉(zhuǎn)移到晶圓上，形成電缺陷。

晶圓等離子體去膠設(shè)備

電極間距和層數(shù)，晶圓等離子體去膠機(jī)器以及氣體分布要求: 等離子清洗機(jī)反應(yīng)室的電極間距、層數(shù)、氣路分布等參數(shù)對(duì)晶圓加工均勻性有顯著影響，這些指標(biāo)需要不斷測(cè)試和優(yōu)化。 電極板溫度要求：等離子清洗過(guò)程中會(huì)積累一定的熱量。如果需要處理，則電極板應(yīng)保持在一定的溫度范圍內(nèi)。因此，通常在等離子清洗后向電極中加入水。 放置提示：多層等離子清洗設(shè)備具有很高的生產(chǎn)力，可以根據(jù)需要將多個(gè)晶圓放置在每一層支撐上。