下面簡單介紹下半導(dǎo)體的雜質(zhì)和分類：

半導(dǎo)體制造需要一些有機和無機物質(zhì)參與。此外，由于工藝總是由凈化室的人進(jìn)行，半導(dǎo)體晶片不可避免地會受到各種雜質(zhì)的污染。根據(jù)污染物的來源和性質(zhì)，大致可以分為四類：顆粒、有機物、金屬離子和氧化物。

a）氧化物：

暴露在氧氣和水中的半導(dǎo)體晶片表面會形成自然氧化層。這種氧化膜不僅阻礙了半導(dǎo)體制造的許多步驟，還含有一些金屬雜質(zhì)，在一定條件下會轉(zhuǎn)移到晶片上形成電缺陷。這種氧化膜的去除通常是通過浸泡在稀氫氟酸中來完成的。

b）顆粒：

顆粒主要是一些聚合物、光刻膠和蝕刻雜質(zhì)。這種污染物通常吸附在晶片表面，影響器件光刻工藝的幾何圖形形成和電學(xué)參數(shù)。這類污染物的去除方法主要是通過物理或化學(xué)方法對顆粒進(jìn)行清理，逐漸減小顆粒與晶圓表面的接觸面積，然后去除。

c）金屬：

半導(dǎo)體技術(shù)中常見的金屬雜質(zhì)包括鐵、銅、鋁、鉻、鎢、鈦、鈉、鉀、鋰等。這些雜質(zhì)的來源主要包括各種容器、管道、化學(xué)試劑以及半導(dǎo)體晶片加工過程中的各種金屬污染。經(jīng)常使用化學(xué)方法去除這類雜質(zhì)，各種試劑和化學(xué)物質(zhì)配制的清洗液與金屬離子反應(yīng)形成金屬離子絡(luò)合物，與晶圓表面分離。

d）有機物：

有機雜質(zhì)來源廣泛，如人體皮膚油脂、細(xì)菌、機油、真空油脂、光刻膠、清洗溶劑等。這類污染物通常會在晶圓表面形成有機薄膜，以防止清洗液到達(dá)晶圓表面，導(dǎo)致晶圓表面清洗不徹底，使得清洗后的晶圓表面上金屬雜質(zhì)等污染物保持完好。此類污染物的去除通常在清潔過程的一開始的步驟進(jìn)行，主要使用硫酸和過氧化氫。
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，對工藝技術(shù)的要求越來越高，尤其是對半導(dǎo)體晶片的表面質(zhì)量。主要原因是晶片表面的顆粒和金屬雜質(zhì)的污染會嚴(yán)重影響器件的質(zhì)量和成品率。在目前的集成電路生產(chǎn)中，由于晶片表面的污染，仍有5以上的材料損失。

在半導(dǎo)體生產(chǎn)過程中，幾乎每個工序都需要清洗，晶圓清洗的質(zhì)量對器件性能有著嚴(yán)重的影響。正是因為晶圓清洗是半導(dǎo)體制造過程中很重要、頻繁的步驟，其工藝質(zhì)量將直接影響器件的良率、性能和可靠性，所以國內(nèi)外各大公司和研究機構(gòu)一直在不斷研究清洗工藝。等離子清洗作為一種先進(jìn)的干洗技術(shù)，具有綠色環(huán)保的特點。隨著微電子工業(yè)的快速發(fā)展，等離子清洗機在半導(dǎo)體行業(yè)得到越來越多的應(yīng)用。

等離子清洗具有工藝簡單、操作方便、無廢物處理和環(huán)境污染等優(yōu)點。等離子清洗常用于光刻膠去除過程。少量氧氣被引入等離子體反應(yīng)系統(tǒng)。在強電場的作用下，氧氣產(chǎn)生等離子體，將光刻膠迅速氧化成揮發(fā)性氣體，被抽走。這種清洗技術(shù)具有操作方便、效率高、表面清潔、無劃痕等優(yōu)點，有利于保證產(chǎn)品質(zhì)量。而且不使用酸、堿、有機溶劑，越來越受到人們的重視。

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