其組成部分主要包括電極、有機半導(dǎo)體、絕緣層和襯底，福建真空等離子清洗設(shè)備上旋片真空泵廠家這些對OFET性能有非常重要的影響。電極、有機半導(dǎo)體、絕緣層和基板組件都可以用等離子等離子體處理以提高材料性能。 1、基材——等離子等離子處理，去除基材表面的雜質(zhì)，提高表面活性該板通常位于晶體管的底部，主要負(fù)責(zé)支持該設(shè)備。材料包括：玻璃、硅片、石英、聚碳酸酯（PC）、聚萘（PEN）、聚酰亞胺（PI）、聚乙烯（PET）等可用作OFET的基板材料。
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等離子涂鍍聚合 在涂鍍中兩種氣體同時進(jìn)入反應(yīng)艙，福建真空等離子表面活化價格氣體在等離子環(huán)境下會聚合。這種應(yīng)用比活化和清洗的要求要嚴(yán)格一些。典型的應(yīng)用是保護(hù)層的形成，應(yīng)用于燃料容器、防刮表面、類似聚四氟(PTFE)材質(zhì)的涂鍍、防水鍍層等。涂鍍層非常薄，通常為幾個微米，此時表面的疏水性非常好。
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未經(jīng)過氫等離子體表面處理儀處理的Si-C/Si-O譜峰強度之比(面積之比)為0.87。經(jīng)過處理的Si-C/Si-O的XPS譜峰強度之比(面積之比)為0.21,與沒有經(jīng)等離子體處理的相比下降了75%。經(jīng)過濕法處理的表層Si-O的含量明顯高于經(jīng)過等離子體處理的表層。高能電子衍射(RHEED分析發(fā)現(xiàn)氫等離子體表面處理儀處理后的碳化硅表層比傳統(tǒng)濕法處理的碳化硅表層更加平整，而且處理后表層出現(xiàn)了(1x1)架構(gòu)。
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