這些裝置的致命缺點不僅是放電清洗非常不均勻，環(huán)氧樹脂對電鍍件的附著力而且容易因有害放電而污染或損壞基材。此外，輝光放電也很不穩(wěn)定，特別是當襯底移動時，等離子體也很不穩(wěn)定由于體積阻抗變化較大，這些器件很難在連續(xù)涂裝線中使用。近年來，公司成功開發(fā)了年產4萬噸ITO玻璃自動化生產線。在進行SiO2膜和ITO膜的電鍍前，安裝了一套在線清洗裝置，可以產生大面積、均勻、穩(wěn)定的多面體。該裝置由防護罩、門和加速器組成。

但由于柔性材料PI不耐強堿，環(huán)氧樹脂對電鍍件的附著力故銅沉淀前處理應采用酸性溶液。目前主要采用化學法沉銅堿性，所以反應時間和溶液濃度必須嚴格控制。如果反應時間過長，聚酰亞胺會膨脹。反應時間不足，導致空洞和孔內銅層力學性能差。雖然可以通過電氣測試，但往往不能通過熱沖擊或用戶的組裝過程。鍍銅為了保持軟板的柔韌性，有時只選用鍍銅，稱為扣板。做圖形轉移后的電鍍孔前選擇性電鍍，電鍍原理與硬板相同。圖案傳遞過程與剛性板相同。

否則會出現腐蝕等問題。良好的粘合通常會被電鍍、粘合和焊接操作中的殘留物削弱，環(huán)氧樹脂對電鍍件的附著力這些殘留物可以通過等離子方法選擇性地去除。同時，氧化層對鍵合質量有不利影響，需要等離子清洗。二、等離子蝕刻在等離子體蝕刻工藝中，蝕刻氣體通過工藝氣體變成氣相（例如，當使用氟氣蝕刻硅時）。工藝氣體和基板用真空泵抽出，表面不斷覆蓋新的工藝氣體。不想腐蝕的部件應該用材料覆蓋（例如用于半導體行業(yè)的鉻）。

焊接接頭上的壓力可以很低（當存在污染物時。焊接接頭穿透污染物，環(huán)氧樹脂對電鍍件的附著力需要更大的壓力），在某些情況下，連接溫度也可以降低，從而增加產量和降低成本。過膠：環(huán)氧樹脂在加工過程中，污染物會導致泡沫發(fā)泡率過高，造成產品質量和使用使用壽命低，所以為了避免密封泡沫形成過程中出現的情況。清洗后，芯片和基底會與膠體結合得更緊密。形成的泡沫會大大減少，同時散熱和光發(fā)射率也會顯著提高。。

環(huán)氧樹脂對電鍍件的附著力

當使用等離子體時，會發(fā)出輝光，因此稱為輝光放電。等離子清洗機技術的最大特點是既可以加工對象基材類型，也可以加工金屬、半導體、氧化物和大多數高分子材料，如聚丙烯、聚酯、聚酰亞胺、聚(乙)氯、環(huán)氧，甚至可以很好地與聚四氟乙烯等，并可實現整體和局部清洗和復雜結構。隨著經濟的發(fā)展和人民生活水平的不斷提高，對消費品的質量要求也越來越高。等離子體技術已逐步進入消費品生產行業(yè)。

例:H2+e→2H*+e-H*+非揮發(fā)性金屬氧化物→金屬+H2O從反應公式可以看出，氫等離子體可以通過化學反應去除金屬表面的氧化層，清潔金屬表面。物理清洗：以物理反應為主要表面反應的等離子體清洗，也叫濺射蝕刻(SPE)。例:Ar+e→Ar++2E-Ar++污染→揮發(fā)性污染Ar+在自偏壓或外加偏壓作用下加速產生動能，然后轟擊被清洗工件表面，一般用于去除氧化物、環(huán)氧樹脂溢出或微粒污染物，同時激活表面能。。

等離子體具有電子、離子和具有特定能量分布的中性粒子，當它們與材料表面發(fā)生碰撞時，這些能量會傳遞給材料表面的分子和原子，從而產生一系列物理結果。你可以的。和化學過程。一些粒子也可以注入到材料表面，引起碰撞、散射、激發(fā)、位錯、異構化、缺陷、結晶和非晶化，從而改變材料的表面特性。等離子體可以分解暴露于高能材料的材料表面的聚合物，產生自由基。

D.在線等離子清洗機清洗完畢后，等離子清洗機倉庫的天花板門打開，裝載平臺從等離子中取出。車身清洗倉將從清洗區(qū)移至卸料區(qū)； F、將裝載平臺上的產品重新裝載到料箱中。從以上技術方案可以看出，在線等離子清洗機的清洗方式是將待清洗產品從料箱中取出，將待清洗產品放在臺上，再對待清洗產品進行清洗。...不是將待清洗的產品排成一排，而是放在同一平面上，同時臺上沒有側板，所以待清洗的產品表面被徹底清洗干凈。

電鍍件的附著力

如果使用等離子體處理技巧，環(huán)氧樹脂對電鍍件的附著力不僅能有效避免使用化學物質的弊端，還能在很大程度上節(jié)約資源、減少浪費?？梢哉f，等離子體處理技能可以應用在很多領域。它不僅具有非常好的清潔能力，而且可以在外部蝕刻活化。這些優(yōu)勢使等離子體治療技能得到更廣泛的應用，在不久的將來其覆蓋面將更廣。

理想原子層蝕刻周期可分為以下四個階段:(1)在腔體中滲透反應氣體，環(huán)氧樹脂對電鍍件的附著力對材料表面進行修飾，形成單一的自限層;(3)向空腔內引入高能粒子，去除單一的自限層，實現自限蝕刻行為;(4)停止進入高能粒子，并利用等離子體表面處理機的真空設備泵去除多余的顆粒和未參與蝕刻的蝕刻副產物。對于實際原子層蝕刻過程中每個循環(huán)的反應A和B，理想的單層自限蝕刻工藝難以實現。