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進(jìn)口低溫等離子清洗機(jī)公司
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只有在加入側(cè)墻保護(hù)層生成氣體氧氣之后， 真正的各向異性蝕刻才可以達(dá)成。另外，有報(bào)道說在很多低溫等離子體蝕刻過程中，等離子表面處理機(jī)離子轟擊才是決定性因素，這主要是因?yàn)榻档头磻?yīng)溫度可以有效減慢表面化學(xué)反應(yīng)。 等離子表面處理機(jī)低溫反應(yīng)中應(yīng)用SF6/O2連續(xù)等離子體蝕刻硅基材的過程被稱作標(biāo)準(zhǔn)超低溫過程，從而來(lái)實(shí)現(xiàn)蝕刻和保護(hù)并行進(jìn)行。保護(hù)層的大分子薄膜中主要含有SiOxFy無(wú)機(jī)化合物。
等離子表面處理設(shè)備主要有三種操作模式：等離子表面處理改性（PST法）、等離子接枝聚合（PGP法）和等離子沉積聚合（PPD法）。 PST法是指對(duì)材料表面或極薄的表面層進(jìn)行活化和蝕刻，通常稱為還原處理。等離子表面處理機(jī)中電子等活性因子的能量（最高可達(dá)20eV）遠(yuǎn)高于有機(jī)化合物的化學(xué)鍵能（<10eV），因此具有化學(xué)活性。處理有機(jī)物時(shí)，被處理物表面的纖維易碎，提高了纖維和布匹的吸濕性、拒水性、抗污性和染色性。
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