ICP蝕刻輝光放電產(chǎn)生的活性粒子在基板表面擴(kuò)散，ICP蝕刻機(jī)器引起化學(xué)反應(yīng)，是揮發(fā)性產(chǎn)物，來不及解吸沉積在基板表面。此外，一些離子與基板發(fā)生物理碰撞，破壞了表面網(wǎng)格排列，并在基板表面產(chǎn)生孔洞，降低了材料的表面質(zhì)量。同時，由于硅和碳化硅的存在，原始襯底表面的結(jié)構(gòu)并不均勻。等離子處理器在處理蝕刻材料表面時，兩相邊界、孔洞和凹坑的不均勻性導(dǎo)致光在材料表面發(fā)生散射，這也增加了材料對光的吸收。

自1970年代以來，ICP蝕刻機(jī)器非金屬固體（玻璃、纖維、塑料等）低壓等離子體的表面處理和改性技術(shù)也得到了迅速發(fā)展。等離子發(fā)生器蝕刻ICP蝕刻工藝廣泛應(yīng)用于硅碳蝕刻領(lǐng)域等離子發(fā)生器蝕刻ICP蝕刻工藝廣泛應(yīng)用于硅碳蝕刻領(lǐng)域：化學(xué)反應(yīng)燒成碳碳復(fù)合材料作為一種新型非金屬材料（RB-SIC） )具有強(qiáng)度高、比剛度大、導(dǎo)熱系數(shù)高、膨脹系數(shù)小等特點(diǎn)。該標(biāo)準(zhǔn)具有高分辨率、寬視場和高質(zhì)量的表面形貌。

ICP蝕刻工藝主要用于加工制造SIC半導(dǎo)體和微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）器件，ICP蝕刻機(jī)器表面質(zhì)量蝕刻，提高SIC微波功率器件的性能質(zhì)量。 ICP腐蝕過程的完整腐蝕過程可分為三個步驟： (1) 腐蝕性物質(zhì)的吸附，(2) 揮發(fā)性物質(zhì)的形成，(3) 解吸。這個過程包括化學(xué)和物理過程。蝕刻氣體以感應(yīng)耦合方式經(jīng)歷輝光放電以產(chǎn)生反應(yīng)性基團(tuán)。例如，中性粒子和電子器件等中性粒子與被蝕刻材料表面的原子發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，產(chǎn)生揮發(fā)性物質(zhì)。

-封裝等離子清洗劑處理可以優(yōu)化引線鍵合-封裝等離子清洗劑處理可以優(yōu)化引線鍵合：在集成IC封裝的制造中-封裝等離子清洗劑工藝選擇是唯一的材料表面、原材料表面取決于后續(xù)工藝對性、化學(xué)性的要求成分、表面污染等。后半導(dǎo)體工藝是由指紋、助焊劑、焊錫、劃痕、污染、微塵、樹脂殘留物、自熱氧化、有機(jī)物等引起的。 , 在設(shè)備和材料表面形成不同類型的污染。下面是這個過程的應(yīng)用程序。

ICP蝕刻機(jī)器

-在封裝的等離子清洗機(jī)、集成IC、MEMS封裝中，電路板、基板和集成IC之間有大量的引線鍵合，而引線鍵合仍然是集成IC焊盤與外部引線之間的連接，一種重要的方法。 , 方法 提高引線鍵合強(qiáng)度一直是行業(yè)研究的問題。射頻驅(qū)動的低壓等離子清洗機(jī)是一種有效且低成本的清洗方法，可有效去除氟化物、氫氧化鎳、（機(jī)械）溶劑殘留、環(huán)氧樹脂溢出、材料氧化層、等離子清洗粘接。鍵合拉力對提高引線鍵合強(qiáng)度有很大作用。

集成 IC 接頭可以在引線連接之前通過氣體等離子方法進(jìn)行清潔，從而提高鍵合強(qiáng)度和良率。表 3 顯示氧氣和氬氣等離子清洗技術(shù)可用于有效提高抗張強(qiáng)度，同時保持較高的 CPK 值。在調(diào)查等離子清洗機(jī)的效率時，一些數(shù)據(jù)表明，不同公司的不同產(chǎn)品類型正在使用等離子清洗機(jī)。這增加了鍵合線的強(qiáng)度，同時也提高了設(shè)備??的可靠性。

低溫等離子清洗機(jī)用于印刷和噴墨行業(yè)，包括在塑料、玻璃、金屬和其他復(fù)合材料的表面進(jìn)行絲印。印刷前對低溫寬幅等離子清洗機(jī)進(jìn)行預(yù)處理可以提高其吸附和滲透能力。油墨材料表面。 IC卡標(biāo)簽、日化容器。線材在打碼前經(jīng)過等離子預(yù)處理，以改善墨水吸附。在塑料行業(yè)，低溫寬等離子清洗劑：塑料和橡膠、金屬、玻璃等預(yù)處理可以提高表面附著力。本文將介紹低溫寬幅等離子清洗機(jī)的應(yīng)用，希望對您有所幫助。如有任何疑問，請?jiān)L問官方網(wǎng)站！。

UV OPP PP PET 金銀卡上光，貼合紙箱或紙箱前進(jìn)行表面處理，經(jīng)過低溫寬幅等離子機(jī)處理后，可以增加粘盒硬度，省去開封的麻煩。海藻。還可以減少粘合劑的使用量，有效降低成本。塑料、玻璃、金屬、復(fù)合材料等表面絲網(wǎng)印刷，移印前用低溫寬幅等離子清洗機(jī)進(jìn)行預(yù)處理，可以提高材料表面對油墨的吸附和滲透。 IC卡標(biāo)簽、日化容器。線碼前的等離子預(yù)處理提高了墨水的吸附性。

ICP蝕刻機(jī)器

當(dāng)然，ICP蝕刻機(jī)臺優(yōu)勢即使在高壓下，低溫等離子體也可以通過不產(chǎn)生熱效應(yīng)的短脈沖放電模式，例如電暈放電（CORONA DISCHARGE）、介質(zhì)阻擋放電（DIELECTRIC BARRIER DISCHARGE，DBD）和滑動電弧放電（GLIDE電弧放電）。增加。 ) 或等離子弧)。大氣壓力下的輝光放電技術(shù)目前已成為世界各國研究的熱點(diǎn)。

MASSINES 小組對氦和氮的 APGD 進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)研究和數(shù)值模擬，ICP蝕刻除了測量施加的電壓和放電電流外，還使用曝光時間僅為 10 NS 的 ICCD 相機(jī)拍攝了時間分辨放電圖像，并放電. 記錄了使用等離子體發(fā)射光譜的時空分解光譜，結(jié)合放電過程的一維數(shù)值模擬，氮?dú)庵械木鶆蚍烹娙詫儆跍烹?，均勻放電為氦氣，?shí)際輝光放電，或者是亞輝光放電。