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沒有氫等離子體表面處理裝置的SI-C/SI-O光譜的峰強度比(面積比)為0.87。經(jīng)處理的 SI-C/SI-O 的 XPS 峰強度比(面積比)為 0.21,江門大氣等離子清洗機多少錢一臺與未經(jīng)等離子體處理的情況相比降低了 75%。濕處理表面層的 SI-O 含量顯著高于等離子體處理表面層的 SI-O 含量。高能電子衍射(RHEED 分析表明,用氫等離子體表面處理裝置處理的碳化硅表面層比常規(guī)濕法處理的碳化硅表面層更平整。

等離子體化學(xué)氣相沉積 3. 低溫等離子體化學(xué)氣相沉積法制備碳納米管 由于等離子體在低溫下的高活性,大氣等離子旋轉(zhuǎn)噴頭等離子體化學(xué)氣相沉積(PECVD)可以顯著降低溫度。成膜范圍。正常情況下,高質(zhì)量碳納米管的生長需要800℃以上的襯底溫度。能夠?qū)囟冉档偷?400°C 以下將對許多應(yīng)用非常有利。碳納米管場發(fā)射電極等可以沉積在玻璃基板上。

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該反應(yīng)可用下式表示。

由于植入物材料與生物體之間的唯一相互作用是表面上的幾個原子層,因此可以對金屬材料進行表面改性,以更好地將材料的金屬特性與表面層的生物活性結(jié)合起來......用它來打好基礎(chǔ)。金屬生物材料的表面改性方法包括化學(xué)和物理方法?;瘜W(xué)法是濕法,工藝操作比較復(fù)雜,需要使用對人體和環(huán)境有污染的化學(xué)試劑。

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